付振
中国科学院半导体研究所
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付振来自中国科学院半导体研究所，专利315件。擅长半导体制造、电性能及故障测、矿隧专用、步进矿顶支架。最擅长半导体制造。排名在TOP1。一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置是存续时间最长的专利。与北京智芯微电子科技有限公司合作165次，与陈燕宁合作141次。
历年科研重点
步进矿顶支架 干燥附件 干燥气控 图像增强复原 现场处理 电性能及故障测 H01L35 半导体制造 H01L29 电磁存储器 矿隧专用 时间记录 H01L27 半导体器件细节 电磁器件 磁阻存储器 半导体势垒 场效应晶体管 电池充供电
技术领域排名
专利列表
- 有效
3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法
申请日: 20230302 公开日: 20260327 申请人: 北京芯可鉴科技有限公司
- 有效
半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法
申请日: 20220930 公开日: 20260324 申请人: 北京芯可鉴科技有限公司
- 在审
远程控制的功率器件、智能断路器及故障检修方法
申请日: 20251105 公开日: 20260320 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 在审
高位前部放顶煤控制方法
申请日: 20251231 公开日: 20260317 申请人: 北京天玛智控科技股份有限公司
- 有效
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
申请日: 20210916 公开日: 20260306 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
显示 1-5 条，共 308 条
产研合作关联
与 北京智芯微电子科技有限公司 的合作详情
共 165 项合作记录一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
20150902CN201510557112.1
一种芯片可靠性设计的方法及装置
20171108CN201711089861.1
RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法
20180528CN201810522093.2
仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法
20180528CN201810523411.7
基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法
20190705CN201910602633.2
具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底基片及其制备方法
20190717CN201910644631.X
具有稳定接触的微探针
20190417CN201920516048.6
低温防雾化露化装置
20190611CN201920870166.7
带隙基准源测量装置及方法
20200925CN202011024238.X
制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池
20201130CN202011379151.4
高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法
20201210CN202011433850.2
一种湿度传感器
20201208CN202011443736.8
MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统
20201209CN202011452068.5
聚酰胺类材料稳定性快速评价方法
20201210CN202011455404.1
纵向结构柔性热电器件及其制作方法
20201210CN202011455669.1
用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法
20201210CN202011455731.7
一种温度传感器
20201208CN202011461453.6
降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法
20201215CN202011471670.3
磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置
20201217CN202011497059.8
一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法
20201225CN202011566708.5
一种检测PMOS器件NBTI退化的电路
20201229CN202011598468.7
一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统
20210316CN202110283041.6
栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构
20210909CN202111057876.6
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
20210916CN202111088795.2
数字隔离器及芯片
20211011CN202111182262.0
用于制备高压LDMOS器件的方法及器件
20211027CN202111257655.3
半导体器件、集成电路产品以及制造方法
20211111CN202111330860.8
电平移位器和数字隔离器
20211111CN202111331236.X
一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片
20211116CN202111354981.6
隔离电容及隔离电容的制备方法
20211129CN202111436654.5
三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法
20211201CN202111453598.6
一种电容器、芯片及电容器的制备方法
20211206CN202111475179.2
半导体器件及其制作方法
20211207CN202111482363.X
随机磁隧道结器件及应用方法
20211207CN202111482824.3
翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法
20211207CN202111485264.7
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20211221CN202111571321.3
振荡电路和振荡器
20211223CN202111592037.4
一种硅控整流器、芯片及电路
20211228CN202111619505.2
一种硅控整流器、芯片及电路
20211228CN202111622482.0
圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法
20211228CN202111623306.9
浪涌测试设备
20211029CN202122636880.X
一种电流检测器及电路
20220107CN202210014419.7
一种NLDMOS器件及制备方法、芯片
20220107CN202210014429.0
一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置
20220117CN202210046994.5
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220210CN202210124399.9
一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路
20220214CN202210132826.8
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159442.5
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159448.2
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159453.3
人工电磁超表面及其制作方法
20220223CN202210165206.4
浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构
20220224CN202210171603.2
一种电流检测器和电路
20220301CN202210191974.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220301CN202210192181.7
LDMOSFET器件、制备方法以及芯片
20220308CN202210218730.3
LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件
20220315CN202210250839.5
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220316CN202210257137.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220318CN202210270476.1
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220321CN202210275705.9
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法
20220321CN202210275705.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220321CN202210276656.0
LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管
20220324CN202210296082.3
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220328CN202210311019.2
一种磁传感器、电路和电能表
20220329CN202210318799.3
高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220401CN202210338138.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220401CN202210339389.7
瞬态热阻的模拟系统与方法
20220408CN202210367078.1
双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片
20220411CN202210375514.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220411CN202210375521.X
有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统
20220418CN202210405357.2
超结器件的制造方法
20220419CN202210411907.1
绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法
20220419CN202210411916.0
LDMOSFET的制作方法及结构
20220420CN202210414986.1
MIM电容器的制作方法及MIM电容器
20220505CN202210479541.1
IGBT器件的制造方法及IGBT器件
20220512CN202210515987.5
镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法
20220517CN202210532932.5
脉冲电场数据的处理方法与系统
20220523CN202210561341.0
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220610CN202210652972.3
横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件
20220620CN202210698562.2
超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路
20220624CN202210722208.9
超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路
20220624CN202210722210.6
半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质
20220628CN202210740098.9
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810576.9
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810588.1
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810837.7
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220713CN202210821617.4
异质结横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220721CN202210858457.0
LDMOS器件及其制备方法以及芯片
20220725CN202210875450.X
LDMOS器件、制备方法及芯片
20220725CN202210875508.0
双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片
20220725CN202210875537.7
一种电能表及测量电流的方法
20220725CN202210880438.8
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944506.2
器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质
20220808CN202210944521.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944541.4
超结半导体器件及其制备方法
20220818CN202210990168.6
用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路
20220818CN202210994071.2
用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路
20220818CN202210994445.0
用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路
20220818CN202210995289.X
用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路
20220818CN202210995869.9
MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品
20220829CN202211036892.1
CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质
20220829CN202211039166.5
AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法
20220907CN202211090728.9
一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法
20220907CN202211100004.8
电压钳位的超结器件及制造方法
20220915CN202211122807.3
功率半导体器件终端及制造方法
20220915CN202211122924.X
一种离子注入机及离子注入机内衬的制作方法
20220915CN202211123558.X
横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法
20220915CN202211124222.5
集成栅漏电容的超结器件及制造方法
20220915CN202211124223.X
类脑计算芯片和数据处理终端
20220929CN202211202953.7
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205447.3
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205608.9
LDMOS晶体管及其制造方法
20220930CN202211205804.6
半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法
20220930CN202211209170.1
基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法
20221021CN202211292154.3
远程可视化系统与远程可视化方法
20221026CN202211316648.0
工控机与数据监测系统
20221026CN202211316658.4
工控机与数据备份系统
20221026CN202211316659.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211436896.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211461416.4
复合材料组合物及复合材料的制备方法及复合材料和应用
20221221CN202211651282.2
磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片
20221222CN202211654973.8
联萘单体及其制备方法和环氧树脂及其制备方法和应用
20221226CN202211686490.6
串口自适应电路、电子设备和电路板
20230131CN202310046767.7
用于变更数据库表的表结构的方法和装置
20230203CN202310054937.6
全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法
20230119CN202310055837.5
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20230119CN202310056857.4
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20230119CN202310056870.X
空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法
20230119CN202310060867.5
LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件
20230119CN202310061014.3
芯片功能验证系统、方法、存储介质及处理器
20230206CN202310068013.1
3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法
20230302CN202310203775.8
低压差线性稳压器以及芯片
20230314CN202310250523.0
用于带隙基准电路的启动电路以及芯片
20230314CN202310265406.1
IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片
20230427CN202310475218.1
NOR Flash阵列可靠性测试装置、设备及方法
20230505CN202310501016.X
包络检波电路及芯片
20230509CN202310518544.6
IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路
20230517CN202310560064.6
一种斩波放大器电路及设备
20230526CN202310610445.0
一种低通滤波器及设备
20230526CN202310612009.7
尼龙改性树脂及其制备方法、电磁屏蔽材料及电子设备
20230721CN202310903035.5
超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路
20230727CN202310928110.3
超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路
20230727CN202310928114.1
磁传感器、防窃电的电能表
20230808CN202310988221.3
芯片外部恒定磁场抗扰度检测装置及芯片
20230808CN202310988227.0
基于压控磁各向异性的存储单元、磁随机存储器
20230829CN202311096864.3
基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器
20230830CN202311105192.8
电流传感器芯片、制作方法和电路
20230921CN202311221481.4
功率模块的循环试验装置及系统
20231031CN202311436497.7
碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片
20231127CN202311589953.1
计数器及计数方法、芯片、电子设备
20231214CN202311724785.2
超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构
20231226CN202311799050.6
超结半导体的源区自对准注入方法及超结半导体结构
20240124CN202410097708.7
超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构
20240124CN202410099445.3
通信电源、MOS器件测评方法及系统
20240419CN202410477518.8
横向半导体器件及制造方法
20240528CN202410669075.2
宽禁带MOSFET器件及制造方法
20240725CN202411007660.2
抗击穿碳化硅基MOS器件及其制备方法
20241122CN202411678886.5
碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
20241122CN202411678978.3
三维堆叠的单桥臂结构、制造方法及磁阻传感器
20250307CN202510268212.6
芯片垂直方向上制备磁通聚集器的方法及对应的磁通聚集器
20250307CN202510268213.0
多功能器件、芯片、多功能器件控制方法和装置
20250311CN202510284592.2
感存一体自旋电子器件及制造方法、磁随机存储器
20250311CN202510284595.6
一种适用于光纤传能的能量管理存储系统
20250414CN202510464135.1
集成双沟道的碳化硅MOSFET器件及制备方法
20250529CN202510708051.8
基于光热电的能信共传系统
20250607CN202510755752.7
开关电源及电子设备
20250909CN202511283929.4
电源板卡及其切换方法、控制设备、电力控制保护装置
20250911CN202511298898.X
一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
20170630CN201510557112.1
一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
20210127CN201510557112.1
一种芯片可靠性设计的方法及装置
20210831CN201711089861.1
仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法
20210901CN201810523411.7
基于手动绑线机的高密度封装芯片失效定位方法
20210830CN201910602633.2
具有稳定接触的微探针
20201230CN201920516048.6
低温防雾化露化装置
20201230CN201920870166.7
开关电源及电子设备
20260514CN202511283929.4
