1.一种用于制备高压LDMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一选定区域中形成第一导电类型的漂移区；在所述衬底的第二选定区域中形成第二导电类型的体区；在所述漂移区上生长场氧化物；形成栅介质层，其中所述栅介质层覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分；在所述栅介质层上形成栅电极，所述栅电极的第一侧延伸至所述场氧化物上方以用作场板；在所述体区表面形成源区；以及在所述漂移区表面形成漏区；其中，所述在所述衬底的第一选定区域中形成第一导电类型的漂移区包括：使用局部线性掺杂工艺对所述第一选定区域注入第一导电类型离子，其中，使用掩膜版调节所述漂移区的离子掺杂浓度，以使得所述漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而所述第一子区域和所述第二子区域的离子掺杂浓度相对于所述漂移区中的所述第一子区域和所述第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征，且所述其他子区域的离子掺杂浓度从所述漂移区的与所述体区交界的一端到所述漂移区的另一端呈线性递增，其中所述第一子区域与所述场氧化物的靠近所述体区的边缘对准，所述第二子区域与所述栅电极的第一侧对准。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：所述栅介质层与所述场氧化物相接触。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极的第一侧延伸至所述场氧化物上方以用作场板还包括：所述场氧化物与覆盖于所述场氧化物的所述栅电极形成栅极结构；通过所述栅极结构对所述漂移区的表面电场进行场板调制，以提高所述高压LDMOS器件的击穿电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过覆盖在所述体区表面的所述栅电极对所述体区进行调控从而形成导电沟道。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成栅介质层包括：使用特定化学物质生长栅介质；光刻定义出所述栅介质的形成区域，采用刻蚀工艺去除形成区域外的特定化学物质，以得到所述栅介质层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅介质层上形成栅电极包括：光刻定义出栅电极的形成区域，采用刻蚀工艺去除形成区域外的多晶硅，以形成所述栅电极。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述体区表面形成源区以及在所述漂移区表面形成漏区包括：同时采用第一导电类型的重掺杂离子注入所述体区表面以形成所述源区和注入所述漂移区表面以形成所述漏区。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述高压LDMOS器件为N型器件的情况下，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；在所述高压LDMOS器件为P型器件的情况下，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
9.一种高压LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一选定区域和第二选定区域；漂移区，形成于所述第一选定区域；体区，形成于所述第二选定区域；场氧化物，生长于所述漂移区上；栅介质层，所述栅介质层覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分；栅电极，形成于所述栅介质层上，所述栅电极的第一侧延伸至所述场氧化物上方以用作场板；源区，形成于所述体区表面；以及漏区，形成于所述漂移区表面；其中，所述漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而所述第一子区域和所述第二子区域的离子掺杂浓度相对于所述漂移区中的所述第一子区域和所述第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征，且所述其他子区域的离子掺杂浓度从所述漂移区的与所述体区交界的一端到所述漂移区的另一端呈线性递增，其中所述第一子区域与所述场氧化物的靠近所述体区的边缘对准，所述第二子区域与所述栅电极的第一侧对准。
10.一种掩膜版，其特征在于，应用于根据权利要求1至8中任意一项所述的用于制备高压LDMOS器件的方法，所述掩膜版包括：沿一方向间隔排布的多个掩膜层，相邻两个掩膜层之间限定出掩膜窗；所述掩膜窗包括第一掩膜窗子集和第二掩膜窗子集，所述第一掩膜窗子集包括至少一个第一掩膜窗，所述第二掩膜窗子集包括至少一个第二掩膜窗，所述至少一个第一掩膜窗对应于所述漂移区中的第一子区域，所述至少一个第二掩膜窗对应于所述漂移区中的第二子区域；所述掩膜窗被布置为所述至少一个第一掩膜窗的第一宽度和所述至少一个第二掩膜窗的第二宽度被减小，以使得所述漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而所述第一子区域和所述第二子区域的离子掺杂浓度相对于所述漂移区中的所述第一子区域和所述第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征，且所述其他子区域的离子掺杂浓度从所述漂移区的与所述体区交界的一端到所述漂移区的另一端呈线性递增，其中所述第一子区域与所述场氧化物的靠近所述体区的边缘对准，所述第二子区域与所述栅电极的第一侧对准。
11.根据权利要求10所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括：通过增大限定出所述第一掩膜窗的两个掩膜层中至少一个掩膜层的宽度，使得所述第一掩膜窗的第一宽度被减小；通过增大限定出所述第二掩膜窗的两个掩膜层中至少一个掩膜层的宽度，使得所述第一掩膜窗的第一宽度被减小。
