一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路

1.一种LDMOSFET，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起；所述第一N型漂移区的外侧和第二N型漂移区的外侧均设有侧墙，所述第一N型漂移区和第二N型漂移区的最外层设有多晶硅，所述多晶硅仅设于所述侧墙的外侧；所述侧墙为氧化物，用于隔离。 2.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，所述第一N型漂移区和第二N型漂移区在同一横向维度彼此分开。 3.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，所述第一N型漂移区呈反L型立体图形，所述P型体区呈凹型立体图形，所述第二N型漂移区呈L型立体图形，三者边缘处相接，共同组成一个新的凹形立体图形。 4.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，所述高压P型阱设于所述高压N型阱两侧，且所述高压N型阱的深度大于所述高压P型阱。 5.根据权利要求1或4所述的LDMOSFET，其特征在于，所述高压P型阱与所述高压N型阱相接的上侧设有场氧结构；所述场氧结构为凸起形状，用于隔离。 6.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，所述第一N型漂移区的深度、P型体区的深度和第二N型漂移区的深度均小于所述高压N型阱的深度。 7.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，所述衬底为P型衬底。 8.一种LDMOSFET的制备方法，特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方形成外延层；所述外延层上方形成高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次形成第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起；所述第一N型漂移区的外侧和第二N型漂移区的外侧均形成侧墙，所述第一N型漂移区和第二N型漂移区的最外层设有多晶硅，所述多晶硅仅设于所述侧墙的外侧；所述侧墙为氧化物，用于隔离。 9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高压P型阱形成于所述高压N型阱两侧，且所述高压N型阱的深度大于所述高压P型阱。 10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述高压P型阱与所述高压N型阱相接的上侧形成场氧结构；所述场氧结构为凸起形状，用于隔离。 11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-7中任一项所述的LDMOSFET。 12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-7中任一项所述的LDMOSFET。