1.一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一衬垫层和所述第二衬垫层以形成场氧的开口；对所述衬底进行热氧化处理，以在所述开口内形成具有“鸟嘴”结构的LOCOS场氧；去除所述第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除所述第一衬垫层；对所述衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除所述牺牲氧化层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一衬垫层，使所述LOCOS场氧的“鸟嘴”结构部分外露于所述衬底。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：通过刻蚀工艺对所述第一衬垫层的中央区域进行部分刻蚀，使所述开口的底部凹进所述第一衬垫层内。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底进行热氧化处理，以在所述开口内形成具有“鸟嘴”结构的LOCOS场氧包括：LOCOS场氧的区域包括自所述衬底向外突出的外露部分和内凹部分，所述外露部分与内凹部分呈轴对称状；和/或所述LOCOS场氧的区域的结构高度为100A~4000A。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述“鸟嘴”结构形成于所述外露部分和内凹部分的连接部分，所述“鸟嘴”结构包括自所述衬底的上表面向上且向中心侧延伸的第一曲面部和自所述衬底的上表面向下且向中心侧延伸的第二曲面部。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第二衬垫层，并进一步刻蚀所述第一衬垫层的部分区域，以形成场氧的开口，其中，所述第一衬垫层为氧化硅层，所述第二衬垫层为氮化硅层。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为通过化学气相沉积或炉管热氧化的方式形成的氧化硅层；所述牺牲氧化层的厚度20A~1000A。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：在去除所述牺牲氧化层之后，在所述衬底上生长栅极氧化层和栅极多晶硅层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述横向扩散金属氧化物半导体的层结构中，所述“鸟嘴”结构部分贯穿所述栅极氧化层，且所述“鸟嘴”结构部分嵌入所述栅极多晶硅层内。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述栅极多晶硅层的中央区域包括与所述“鸟嘴”结构相对应的外凸部分。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括如下衬底中的一种或多种组合：绝缘体上SOI硅基底、体硅基底、锗基底、锗硅基底、磷化铟InP基底、砷化镓GaAs基底或者绝缘体上锗基底。
13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一衬垫层的结构厚度为20A~700A，所述第二衬垫层的结构厚度为100A~3000A。
14.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于：所述半导体器件为采用如权利要求1-13中任一项所述的制备方法制备得到的器件。
