碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件

1.一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：在N型碳化硅衬底上外延形成N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层表面形成第一氧化层；将第一氧化层作为阻挡层对N型碳化硅外延层进行刻蚀，以在N型碳化硅外延层中形成体区区域；在N型碳化硅外延层中的体区区域外延生长P型碳化硅形成P型体区，N型碳化硅外延层中P型体区以外的区域形成为N型漂移区；在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极；在漏极表面沉积金属以填充第一凹槽形成漏极金属层，漏极金属层与第二氧化层构成第一场板结构；对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极，多晶硅栅极与第一氧化层构成第二场板结构。 2.根据权利要求1所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，所述在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽，包括：在第一氧化层表面沉积牺牲氧化层；对第一氧化层、牺牲氧化层及N型漂移区进行刻蚀，去掉N型漂移区两侧边沿的N型碳化硅形成两个第一凹槽。 3.根据权利要求2所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，所述在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，包括：在牺牲氧化层表面和第一凹槽内表面沉积第二氧化层，去除牺牲氧化层表面和第一凹槽底面的第二氧化层，保留第一凹槽侧壁的第二氧化层。 4.根据权利要求3所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，所述对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极，包括：将牺牲氧化层和第一凹槽侧壁的第二氧化层作为阻挡层，采用自对准工艺对第一凹槽底部的N型碳化硅进行N型重掺杂离子注入形成漏极。 5.根据权利要求4所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，还包括：在形成漏极金属层之后，采用CMP工艺去除牺牲氧化层。 6.根据权利要求1所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，所述对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极，包括：在第一氧化层表面沉积栅氧化层；对第一氧化层和栅氧化层进行刻蚀形成两个分别位于P型体区两侧的第二凹槽；在栅氧化层表面和第二凹槽内沉积多晶硅，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极。 7.根据权利要求6所述的碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，还包括：采用自对准工艺对P型体区的预设区域进行N型重掺杂离子注入形成源极。 8.一种碳化硅LDMOSFET器件，包括N型碳化硅衬底、P型体区、N型漂移区以及多晶硅栅极，其特征在于，还包括：第一场板结构和第二场板结构，第一场板结构由漏极金属层和第二氧化层构成，第二场板结构由多晶硅栅极和第一氧化层构成；所述P型体区和N型漂移区通过以下方式形成：在N型碳化硅衬底上外延形成N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层表面形成第一氧化层；将第一氧化层作为阻挡层对N型碳化硅外延层进行刻蚀，以在N型碳化硅外延层中形成体区区域；在N型碳化硅外延层中的体区区域外延生长P型碳化硅形成P型体区，N型碳化硅外延层中P型体区以外的区域形成为N型漂移区；所述第一场板结构和第二场板结构通过以下方式形成：在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极；在漏极表面沉积金属以填充第一凹槽形成漏极金属层，漏极金属层与第二氧化层构成第一场板结构；对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极，多晶硅栅极与第一氧化层构成第二场板结构。 9.根据权利要求8所述的碳化硅LDMOSFET器件，其特征在于，所述在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽，包括：在第一氧化层表面沉积牺牲氧化层；对第一氧化层、牺牲氧化层及N型漂移区进行刻蚀，去掉N型漂移区两侧边沿的N型碳化硅形成两个第一凹槽。 10.根据权利要求9所述的碳化硅LDMOSFET器件，其特征在于，所述在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，包括：在牺牲氧化层表面和第一凹槽内表面沉积第二氧化层，去除牺牲氧化层表面和第一凹槽底面的第二氧化层，保留第一凹槽侧壁的第二氧化层。 11.根据权利要求10所述的碳化硅LDMOSFET器件，其特征在于，所述对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极，包括：将牺牲氧化层和第一凹槽侧壁的第二氧化层作为阻挡层，采用自对准工艺对第一凹槽底部的N型碳化硅进行N型重掺杂离子注入形成漏极。 12.根据权利要求8所述的碳化硅LDMOSFET器件，其特征在于，所述对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极，包括：在第一氧化层表面沉积栅氧化层；对第一氧化层和栅氧化层进行刻蚀形成两个分别位于P型体区两侧的第二凹槽；在栅氧化层表面和第二凹槽内沉积多晶硅，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极。 13.根据权利要求12所述的碳化硅LDMOSFET器件，其特征在于，还包括：源极，所述源极是采用自对准工艺对P型体区的预设区域进行N型重掺杂离子注入形成的。