1.一种LDMOS器件，包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；所述半导体衬底内形成有漂移区和体区，所述源极结构与体区相接，所述漏极结构与所述漂移区相接，所述栅极结构形成在所述源极结构和所述漏极结构之间；其特征在于，所述源极结构包括源极掺杂区和源极金属，所述源极掺杂区形成在所述体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述源极金属与所述源极掺杂区相连；所述漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，所述漏极掺杂区形成在所述漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述漏极金属与所述漏极掺杂区相连，漏极掺杂区植入漂移区第一预设距离；所述源极掺杂区与所述漏极掺杂区上方还形成有low-K介质层，所述low-K介质层环绕在所述源极金属和所述漏极金属的四周。
2.根据权利要求1所述LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括二氧化硅层，所述二氧化硅层形成在所述半导体衬底上，覆盖源极结构、栅极结构和漏极结构以外的区域。
3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括层间介质层，所述层间介质层形成在所述二氧化硅层上方。
4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括保护环结构；所述保护环结构包括保护环掺杂区和保护环金属，所述保护环掺杂区形成在所述半导体衬底内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述保护环金属穿过所述二氧化硅层和层间介质层与所述保护环掺杂区相连。
5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成在所述半导体衬底内；所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构与第二浅沟槽隔离结构分别设置在所述保护环掺杂区的两侧，第一浅沟槽隔离结构一端位于所述漂移区内且与所述漏极结构相邻，另一端位于所述漂移区外。
6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层、栅场板和多晶硅栅；所述栅氧化层形成在所述漏极结构和所述源极结构之间，且所述栅氧化层的第二端位于漂移区上方，第一端位于体区上方；所述多晶硅栅形成在所述栅氧化层上方且第一端与所述栅氧化层的第一端齐平，第二端与所述栅氧化层的第二端间隔预设距离，所述栅场板形成在所述多晶硅栅和所述栅氧化层之间，且一端位于所述漂移区上方，另一端与所述栅氧化层的第二端齐平。
7.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括形成在所述半导体衬底内的高压P阱和高压N阱，所述漂移区和体区形成在所述高压N阱内；所述第二浅沟槽隔离结构的一端形成在高压N阱内，另一端与所述高压P阱相邻；所述高压P阱与高压N阱之间间隔预设距离。
8.一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法用于制作权利要求3-7中任一项所述的LDMOS器件，所述方法包括：采用离子注入工艺在半导体衬底内部形成漂移区和体区；在半导体衬底表面沉积二氧化硅材料，光刻并刻蚀二氧化硅材料和半导体衬底，在划定的源极掺杂区和漏极掺杂区的对应位置处形成凹坑，所述凹坑的底面距离半导体衬底上表面第一预设距离；采用离子注入工艺在凹坑对应处的半导体衬底内形成源极掺杂区和漏极掺杂区；在半导体衬底上方制备栅极结构；沉积 low-K 介质材料，干法刻蚀 low-K 介质材料，保留凹坑内填充的low-K 介质材料；沉积层间介质材料，光刻并刻蚀层间介质材料及low-K 介质材料，形成接触孔；沉积金属材料，光刻并刻蚀金属材料形成源极金属和漏极金属。
9.根据权利要求8所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，在形成漂移区和体区之前，所述方法还包括：采用离子注入工艺在半导体衬底内部形成高压P阱和高压N阱。
10.根据权利要求8所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在半导体衬底表面沉积二氧化硅材料之前，在半导体衬底上制作浅沟槽隔离结构。
11.根据权利要求8所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：采用同样的制作步骤，在形成源极掺杂区和漏极掺杂区的同时，形成保护环掺杂区；采用同样的金属材料和制作步骤，在形成源极金属和漏极金属的同时，形成保护环金属。
12.一种芯片，其特征在于，所述芯片应用权利要求1-7中任一项所述的LDMOS器件制成。
