1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：硅衬底，具有第一导电类型；阱区，形成于所述硅衬底上，具有与第一导电类型不同的第二导电类型；氧化隔离层，包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，分别形成于所述阱区的两侧；漏极重掺杂区，包括第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区，具有第二导电类型，所述第一漏极重掺杂区和所述第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状正梯形体结构，所述第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，所述第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；漏极金属电极，包括第一漏极金属电极和第二漏极金属电极，所述第一漏极金属电极形成于部分第一氧化隔离层上与所述第一漏极重掺杂区相邻，所述第二漏极金属电极形成于部分第二氧化隔离层上与所述第二漏极重掺杂区相邻，所述第一漏极重掺杂区与所述第一漏极金属电极构成第一漏极，所述第二漏极重掺杂区与所述第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，均形成于所述阱区，所述漂移区包括第一漂移区和第二漂移区，所述第一漂移区紧贴所述第一漏极重掺杂区的坡面，所述第二漂移区紧贴所述第二漏极重掺杂区的坡面，源极包括形成于所述体区的源极重掺杂区，以及形成于所述源极重掺杂区上的源极金属电极。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：层间电介质层，包括第一层间电介质层和第二层间电介质层，所述第一层间电介质层形成于所述第一漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第一漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第一层间电介质层，所述第二层间电介质层形成于所述第二漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第二漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第二层间电介质层，横向延伸出的第一漏极金属电极与被覆盖的第一层间电介质层以及横向延伸出的第二漏极金属电极与被覆盖的第二层间电介质层构成第二场板。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漏极重掺杂区的厚度介于4-10um。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区与所述漏极重掺杂区的厚度比介于1/3-1/2。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漏极重掺杂区的坡面与氧化隔离层的上表面的夹角介于45°-60°。
6.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅，所述上层硅具有第一导电类型重掺杂；利用所述SOI衬底形成氧化隔离层、漏极重掺杂区和阱区，其中，所述阱区形成于所述硅衬底上，具有与第一导电类型不同的第二导电类型，所述氧化隔离层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，分别形成于所述阱区的两侧，所述漏极重掺杂区包括第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区，具有第二导电类型，所述第一漏极重掺杂区和所述第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状正梯形体结构，所述第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，所述第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；在所述阱区形成体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，所述漂移区包括第一漂移区和第二漂移区，所述第一漂移区紧贴所述第一漏极重掺杂区的坡面，所述第二漂移区紧贴所述第二漏极重掺杂区的坡面，源极包括形成于所述体区的源极重掺杂区，以及形成于所述源极重掺杂区上的源极金属电极；形成漏极金属电极，所述漏极金属电极包括第一漏极金属电极和第二漏极金属电极，所述第一漏极金属电极形成于部分第一氧化隔离层上与所述第一漏极重掺杂区相邻，所述第二漏极金属电极形成于部分第二氧化隔离层上与所述第二漏极重掺杂区相邻，所述第一漏极重掺杂区与所述第一漏极金属电极构成第一漏极，所述第二漏极重掺杂区与所述第二漏极金属电极构成第二漏极。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述利用所述SOI衬底形成氧化隔离层、漏极重掺杂区和阱区，包括：通过刻蚀工艺对所述氧化层和上层硅进行刻蚀，形成所述氧化隔离层和所述漏极重掺杂区；通过外延工艺在所述第一漏极重掺杂区与所述第一氧化隔离层形成的层叠结构，以及所述第二漏极重掺杂区与所述第二氧化隔离层形成的层叠结构之间形成所述阱区。
8.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：通过化学气相沉积在晶体管表面形成一层电介质层；利用刻蚀工艺去除部分源极重掺杂区以及未被漏极重掺杂区覆盖的氧化隔离层上的电介质层，形成层间电介质层，所述层间电介质层包括第一层间电介质层和第二层间电介质层；形成所述漏极金属电极和所述源极金属电极，包括：通过物理气相沉积在晶体管表面形成一层金属层；通过刻蚀工艺去除所述第一层间电介质层和所述第二层间电介质层上的部分金属层，形成所述漏极金属电极和所述源极金属电极，所述第一层间电介质层形成于所述第一漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第一漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第一层间电介质层，所述第二层间电介质层形成于所述第二漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第二漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第二层间电介质层，横向延伸出的第一漏极金属电极与被覆盖的第一层间电介质层以及横向延伸出的第二漏极金属电极与被覆盖的第二层间电介质层构成第二场板。
9.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漏极重掺杂区的厚度介于4-10um。
10.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漂移区与所述漏极重掺杂区的厚度比介于1/3-1/2。
11.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漏极重掺杂区的坡面与氧化隔离层的上表面的夹角介于45°-60°。
12.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
13.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
