1.一种高压非对称结构LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件具有：漂移区和体区；所述漂移区的表面划分有第一区域和第二区域；所述体区的表面划分有第三区域和第四区域，所述第二区域和所述第四区域被第一栅介质层延伸覆盖；所述第一栅介质层的表面划分有第七区域，所述第七区域位于所述漂移区上方且被第二栅介质层覆盖；所述第二栅介质层的表面划分有第六区域和第五区域，所述第五区域以及所述第七区域以外的所述第一栅介质层被多晶硅栅延伸覆盖；所述漂移区的第一区域由表面向内形成有漏区；所述体区的第三区域由表面向内形成有源区，所述漏区深度大于所述源区深度。
2.根据权利要求1所述的高压非对称结构LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括衬底，所述衬底划分有第九区域、用于形成所述漂移区的第十区域以及用于形成所述体区的第八区域；所述第十区域与所述第八区域相接触或由所述第九区域间隔开。
3.根据权利要求2所述的高压非对称结构LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区为第一导电类型的漂移区，所述体区为第二导电类型的体区，所述衬底为第二导电类型的衬底。
4.根据权利要求3所述的高压非对称结构LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.根据权利要求1所述的高压非对称结构LDMOS器件，其特征在于，所述第一栅介质层为SiO 2 层，所述第二栅介质层为高介电常数栅介质层。
6.一种高压非对称结构LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1：在衬底上划分出第八区域，形成体区；划分出第十区域，形成漂移区；S2：在所述漂移区表面划分出第一区域和第二区域；在所述体区的表面划分出第三区域和第四区域，所述第二区域与所述第四区域相临接；S3：在与所述漂移区和所述体区相接触一侧的所述衬底表面生长第一栅介质；S4：去除所述第一栅介质位于所述第二区域之外且位于第四区域之外的部分，得到第一栅介质层；S5：在所述第一栅介质层表面划分出第七区域；S6：在所述第一栅介质层表面一侧生长第二栅介质；S7：去除所述第二栅介质位于所述第七区域之外的部分，得到第二栅介质层；S8：在所述第二栅介质层表面划分出第五区域和第六区域；S9：在所述第二栅介质层表面一侧生长多晶硅；S10：去除所述多晶硅位于第五区域之外且位于第一栅介质层表面之外的部分，得到多晶硅栅；S11：在所述体区的第三区域由表面向内形成源区，在所述漂移区的第一区域由表面向内形成漏区，所述漏区深度大于所述源区深度。
7.根据权利要求6所述的高压非对称结构LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述漂移区和所述体区通过离子注入工艺形成；所述源区和所述漏区通过重掺杂离子注入工艺形成。
8.根据权利要求7所述的高压非对称结构LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述衬底为第二导电类型的衬底，所述漂移区注入第一导电类型的离子，所述体区注入第二导电类型的离子，所述源区和所述漏区分别注入第一导电类型的离子。
9.根据权利要求8所述的高压非对称结构LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述漏区离子注入量大于所述源区离子注入量，且所述漏区离子注入能量相比所述源区离子注入能量上升三个能量梯度。
10.根据权利要求6所述的高压非对称结构LDMOS器件的制备方法，其特征在于，步骤S4中，去除所述第一栅介质位于所述第二区域之外且位于第四区域之外的部分，得到第一栅介质层，包括：光刻定义出所述第二区域和所述第四区域，采用刻蚀工艺去除第一栅介质上位于所述第二区域之外且位于所述第四区域之外的部分，得到第一栅介质层；步骤S7中，去除所述第二栅介质位于所述第七区域之外的部分，得到第二栅介质层，包括：光刻定义出所述第七区域，采用刻蚀工艺去除所述第二栅介质位于所述第七区域之外的部分，得到第二栅介质层；步骤S10中，去除所述多晶硅位于第五区域之外且位于第一栅介质层表面之外的部分，得到多晶硅栅，包括：光刻定义出第五区域，采用刻蚀工艺去除所述多晶硅位于第五区域之外且位于第一栅介质层表面之外的部分，得到多晶硅栅。
