LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管

本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管。所述方法包括：在硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延掺杂形成第一掺杂类型的第二外延层；对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀去除第一部分的第二外延层，余留的第二部分的第二外延层构成第一掺杂类型的体区；在去除第一部分的第二外延层的区域进行第三次外延掺杂形成第二掺杂类型的漂移区；在漂移区内形成浅槽隔离区；形成源漏区和栅极结构。本发明采用三次外延掺杂工艺形成高压PN结，降低工艺难度和制作成本，提高器件的可靠性。