1.一种异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述异质结横向双扩散场效应晶体管包括：衬底；氮化镓缓冲层，形成于所述衬底上，所述氮化镓缓冲层为第一导电类型轻掺杂；并排形成在所述氮化镓缓冲层上的源区掺杂区、氮化镓体区、氮化镓漂移区和漏区掺杂区；其中，所述氮化镓体区具有第一导电类型，所述源区掺杂区、所述氮化镓漂移区和所述漏区掺杂区具有第二导电类型；铝镓氮阻挡层，形成于部分氮化镓漂移区上；栅氧介质层，形成于所述氮化镓体区、所述铝镓氮阻挡层和部分未被所述铝镓氮阻挡层覆盖的氮化镓漂移区上；源极金属电极，形成于所述源区掺杂区上；漏极金属电极，形成于所述漏区掺杂区上；栅极金属电极，形成于部分栅氧介质层上。
2.根据权利要求1所述的异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述栅极金属电极和所述氮化镓体区之间的栅氧介质层的厚度介于50～150nm。
3.根据权利要求1所述的异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述铝镓氮阻挡层的厚度介于20～50nm。
4.根据权利要求1所述的异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述源区掺杂区和所述漏区掺杂区为第二导电类型重掺杂。
5.根据权利要求1所述的异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述源极金属电极和所述漏极金属电极由Ti/Al/Ti/Au金属制成。
6.根据权利要求1所述的异质结横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述栅极金属电极由Ni/Au金属制成。
7.一种异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成衬底；在所述衬底上形成氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层为第一导电类型轻掺杂；形成氮化镓漂移区、氮化镓体区、铝镓氮阻挡层、栅氧介质层、源区掺杂区和漏区掺杂区；其中，所述源区掺杂区、所述氮化镓漂移区、所述氮化镓体区和所述漏区掺杂区并排形成于所述氮化镓缓冲层上，所述铝镓氮阻挡层形成于部分氮化镓漂移区上，所述栅氧介质层形成于所述氮化镓体区、所述铝镓氮阻挡层和部分未被所述铝镓氮阻挡层覆盖的氮化镓漂移区上；所述氮化镓体区具有第一导电类型，所述源区掺杂区、所述氮化镓漂移区和所述漏区掺杂区具有第二导电类型；在所述源区掺杂区上形成源极金属电极；在所述漏区掺杂区上形成漏极金属电极；在部分栅氧介质层上形成栅极金属电极。
8.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成氮化镓漂移区、氮化镓体区、铝镓氮阻挡层、栅氧介质层、源区掺杂区和漏区掺杂区，包括：在所述氮化镓缓冲层上形成并排设置的第一导电类型氮化镓层和第二导电类型氮化镓层；在部分第二导电类型氮化镓层上形成所述铝镓氮阻挡层；在所述铝镓氮阻挡层、部分第一导电类型氮化镓层以及部分未被所述铝镓氮阻挡层覆盖的第二导电类型氮化镓层上形成所述栅氧介质层；通过离子注入在未被所述栅氧介质层覆盖的第一导电类型氮化镓层形成所述源区掺杂区，在未被所述栅氧介质层覆盖的第二导电类型氮化镓层形成所述漏区掺杂区，其中，未被离子注入的第一导电类型氮化镓层为所述氮化镓体区，未被离子注入的第二导电类型氮化镓层为所述氮化镓漂移区。
9.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述栅极金属电极和所述氮化镓体区之间的栅氧介质层的厚度介于50～150nm。
10.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述铝镓氮阻挡层的厚度介于20～50nm。
11.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述源区掺杂区和所述漏区掺杂区为第二导电类型重掺杂。
12.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述源极金属电极和所述漏极金属电极由Ti/Al/Ti/Au金属制成。
13.根据权利要求7所述的异质结横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述栅极金属电极由Ni/Au金属制成。
14.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-6中任一项所述的异质结横向双扩散场效应晶体管。
15.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-6中任一项所述的异质结横向双扩散场效应晶体管。
