降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制作方法

1.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源电极和漏电极，所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间存在有间隙；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间的间隙被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离；所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台。 2.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述衬底由SiC制成。 3.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧层由Si 3 N 4 或Al 2 O 3 制成。 4.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度介于100nm-140nm。 5.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述沟槽为一个或多个。 6.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：S1）在半导体衬底上形成埋氧层；S2）自所述埋氧层上表面向下形成沟槽；S3）在所述埋氧层上表面形成有源区，所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台；S4）在所述有源区表面覆盖生长形成二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面覆盖生长形成高K介质层，以及在所述高K介质层表面覆盖生长形成多晶硅层，由下而上层叠形成多晶硅栅极；S5）在所述多晶硅栅极表面划分出栅区，去除所述栅区之外的部分；S6）在所述栅区两端之外所述有源区表面自对准形成源电极和漏电极，所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间存在有间隙；S7）在所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间的间隙覆盖生长形成SiN钝化层。 7.根据权利要求6所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于源电场和漏电场所能扩展的纵向距离；所述埋氧层的厚度大于所述沟槽的深度。 8.根据权利要求6所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽为所述埋氧层生长过程中直接生长形成。 9.根据权利要求6所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽为所述埋氧层完整生长后在所述埋氧层表面通过刻蚀工艺形成。