1.一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。
2.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，器件的热网表根据芯片的版图、封装信息、PCB板信息和空气信息仿真获取。
3.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述热网表包括：器件在版图中的坐标、器件热阻值和器件热熔值。
4.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述第一电网表包括：器件在不同工作温度下的器件电压和器件电流。
5.根据权利要求4所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数，包括：将器件在工作温度下的器件电压和器件电流输入可靠性模型进行模拟仿真，得到该器件老化后的性能参数。
6.根据权利要求5所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述可靠性模型支持至少包括热载流子注入、经时击穿、正偏执温度不稳定性以及负偏置温度不稳定性的老化效应。
7.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述性能参数包括：饱和电流、阈值电压、线性电流和跨导。
8.根据权利要求1所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化，包括：根据器件的老化后的性能参数，建立该器件老化后的第二电网表；根据各器件的第二电网表进行SPICE仿真，得到所述芯片老化后的性能变化。
9.一种用于分析芯片老化的模拟仿真装置，其特征在于，包括：控制器，用于：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。
10.根据权利要求9所述的用于分析芯片老化的模拟仿真装置，其特征在于，所述根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能变化，包括：将器件在工作温度下的器件电压和器件电流输入可靠性模型进行模拟仿真，得到该器件老化后的性能变化。
11.根据权利要求9所述的用于分析芯片老化的模拟仿真装置，其特征在于，所述根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化，包括：根据器件的老化后的性能参数，建立该器件老化后的第二电网表；根据各器件的第二电网表进行SPICE仿真，得到所述芯片老化后的性能变化。
12.一种用于分析芯片老化的模拟仿真系统，其特征在于，所述系统包括：热网表获取模块，用于获取芯片上各器件的热网表；第一电网表获取模块，用于获取芯片上各器件的第一电网表；电学参数老化模块，用于根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；芯片老化模块，用于根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。
13.根据权利要求12所述的用于分析芯片老化的模拟仿真系统，其特征在于，所述根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能变化，包括：将器件在工作温度下的器件电压和器件电流输入可靠性模型进行模拟仿真，得到该器件老化后的性能变化。
14.根据权利要求12所述的用于分析芯片老化的模拟仿真系统，其特征在于，所述根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能，包括：根据器件的老化后的性能参数，建立该器件老化后的第二电网表；根据各器件的第二电网表进行SPICE仿真，得到所述芯片老化后的性能变化。
15.一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请权利要求1-8中任一项所述的用于分析芯片老化的模拟仿真方法。
