超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构

本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种超结半导体的自对准接触槽形成方法及超结半导体结构，所述方法包括：在第一内介质层、栅极层、栅极氧化层与体区对应的位置形成沟槽；在所述体区中形成源区；形成第二内介质层，所述第二内介质层覆盖所述第一内介质层上表面、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部；去除所述第一内介质层上表面和所述沟槽底部的所述第二内介质层，保留所述沟槽侧壁的所述第二内介质层，形成接触槽。本公开的方案可以在保证接触槽位于两个源区中间位置的基础上，省去一张接触槽工艺专用的光罩，解决传统接触槽形成工艺中光刻工艺的套刻偏离的技术问题，达到节省成本和提高超结半导体制造良品率的技术效果。