1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第一导电类型外延层和第二导电类型保护层的材料为碳化硅；第二导电类型保护层包括两个第一保护层和两个第二保护层，第一导电类型外延层包括第一外延层和第二外延层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连；第一保护层的纵向延伸区和横向延伸区相接形成L型结构或镜像的L型结构，两个第一保护层呈镜像对称结构，两个第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一外延层的两端，两个第一保护层的纵向延伸区纵向延伸至第二外延层的两端，两个第一保护层被第一外延层和第二外延层隔离开，在两个第一保护层和两个第二保护层的作用下使第一外延层和第二外延层内形成纵向完全耗尽和横向完全耗尽的漂移区，该漂移区与碳化硅衬底相接。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述源极包括源区以及源极接触电极，所述第二外延层通过沟道区与所述源区连通。
3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅氧化层、栅极接触电极以及钝化层，所述栅氧化层形成于第二外延层、沟道区以及源区的表面，所述栅极接触电极形成于栅氧化层的表面，所述钝化层形成于栅极接触电极的表面并包覆所述栅极接触电极。
4.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述漏极包括漏极接触电极，所述漏极接触电极形成于碳化硅衬底的背面。
5.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层包括从下至上的第一外延层、第二外延层以及第三外延层，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一外延层，第一保护层的纵向延伸区纵向延伸至第二外延层和第三外延层，第二保护层位于第一外延层与第二外延层之间或第二外延层与第三外延层之间。
6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
7.一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在碳化硅衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层的第一预设区域进行第二导电类型离子注入，形成两个镜像对称的第一保护层的横向延伸区；在碳化硅衬底表面进行二次外延，形成第一导电类型的第二外延层；在所述第二外延层的第二预设区域进行离子注入，形成第二保护层、沟道区以及源区；在所述第二外延层的第三预设区域进行深度的离子注入，形成两个镜像对称的第一保护层的纵向延伸区，第一保护层的纵向延伸区和横向延伸区相接形成L型结构或镜像的L型结构，两个第一保护层呈镜像对称结构，两个第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一外延层的两端，两个第一保护层的纵向延伸区纵向延伸至第二外延层的两端，两个第一保护层被第一外延层和第二外延层隔离开，在两个第一保护层和两个第二保护层的作用下使第一外延层和第二外延层内形成纵向完全耗尽和横向完全耗尽的漂移区，该漂移区与碳化硅衬底相接；形成栅极、源极以及漏极。
8.根据权利要求7所述的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底表面生长第一导电类型的第一外延层，包括：对碳化硅衬底进行标准清洗，除去表面的污染物；采用化学气相沉积方法或分子束外延方法，在碳化硅衬底表面生长N型第一外延层。
9.根据权利要求7所述的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一外延层的第一预设区域进行第二导电类型离子注入，形成第一保护层的横向延伸区，包括：利用化学气相沉积方法在第一外延层表面生长掩膜层，通过光刻以及电子束曝光对掩膜层进行表面图形化，以确定离子注入的第一预设区域；在第一预设区域进行P型离子注入，形成P型第一保护层的横向延伸区。
10.根据权利要求7所述的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述第二外延层的第二预设区域进行离子注入，形成第二保护层、沟道区以及源区，包括：利用化学气相沉积方法在第二外延层表面生长掩膜层，通过光刻以及电子束曝光对掩膜层进行表面图形化，以确定离子注入的第二预设区域；在第二预设区域进行多次离子注入，形成n+源区、P型第二保护层以及P型沟道区。
11.根据权利要求9所述的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第二外延层的第三预设区域进行深度的离子注入，形成第一保护层的纵向延伸区，包括：利用化学气相沉积方法在第二外延层生长掩膜层，通过光刻以及电子束曝光对掩膜层进行表面图形化，以确定离子注入的第三预设区域；在第三预设区域进行深度的离子注入，形成P型第一保护层的纵向延伸区。
12.根据权利要求7所述的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述形成栅极、源极以及漏极，包括：利用干氧氧化方法或低压气相沉积方法生长栅氧化层，利用化学气相沉积方法或磁控溅射方法，在栅氧化层表面沉积多晶硅形成栅极；利用化学气相沉积方法或物理气相沉积方法，在栅极表面生长钝化层，使钝化层覆盖栅极和栅氧化层，利用光刻和刻蚀方法将源区窗口处的钝化层去除，形成源区接触孔，利用电子束蒸发方法或磁控溅射方法形成源极接触电极；利用电子束蒸发方法或者磁控溅射方法，在碳化硅衬底的背面进行金属蒸镀，利用快速热退火或激光退火使碳化硅衬底与蒸镀的金属形成欧姆接触，以形成漏极接触电极。
13.一种功率芯片，其特征在于，所述功率芯片包括权利要求1至权利要求6任一项所述的碳化硅MOSFET器件。
