感存一体自旋电子器件及制造方法、磁随机存储器

本发明涉及磁随机存储器技术领域，提供一种感存一体自旋电子器件及制造方法、磁随机存储器。感存一体自旋电子器件包括：基底、存储层、钝化层、感应层以及电极层；存储层包括至少一个磁隧道结，磁隧道结包括依次层叠的重金属层、铁磁自由层、隧穿层以及铁磁参考层；电极层具有至少一对电极，感应层与电极层的一对电极相连，电极通过形成于钝化层内的导电通孔与重金属层连接；感应层由相变材料构成，能够感应温度、光强、压力或电信号的变化并产生电流信号，控制磁隧道结的阻态翻转以实现数据存储。本发明在自旋轨道矩存储结构基础上引入感应层实现传感与存储的一体集成，极大降低了数据在传感单元与存储单元之间传输的功耗与延迟。