1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅，所述上层硅为凸字型结构，包括位于中间的第一凸台和位于所述第一凸台两侧的第二凸台；所述第一凸台被划分为体区和漂移区，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；氧化场板，形成于所述漂移区上；源区第一导电类型掺杂区，形成于靠近所述体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区，形成于所述源区第一导电类型掺杂区上，且所述源区第二导电类型掺杂区的上表面低于所述体区的上表面；源极，形成于所述源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区，形成于靠近所述漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区，形成于所述漏区第一导电类型掺杂区上，且所述漏区第二导电类型掺杂区的上表面低于所述漂移区的上表面；漏极，形成于所述漏区第二导电类型掺杂区上，其中，所述漏区第一导电类型掺杂区和所述漏区第二导电类型掺杂区在所述漏极下形成反向PN结，在所述漏极的电压大于设定电压的情况下，PN结击穿，载流子可以依次从所述漏区第一导电类型掺杂区、所述漏区第二导电类型掺杂区到所述漏极，以减少表面载流子分布。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：源栅场板，形成于所述源极、所述体区和部分氧化场板上；漏极场板，形成于所述漏极和部分氧化场板上，所述源栅场板与所述漏极场板之间具有间隔。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极为凹字形结构。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漏区第二导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漏区第一导电类型掺杂区的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漏区第二导电类型掺杂区的掺杂浓度介于1e17cm -3 -5e19cm -3 。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漏区第一导电类型掺杂区的掺杂浓度介于1e17cm -3 -3e19cm -3 。
7.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述上层硅具有第二导电类型。
8.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅，所述上层硅为凸字型结构，包括位于中间的第一凸台和位于所述第一凸台两侧的第二凸台；形成体区、漂移区、源区第一导电类型掺杂区、源区第二导电类型掺杂区、漏区第一导电类型掺杂区、漏区第二导电类型掺杂区、源极、漏极和氧化场板，其中，所述上层硅被划分为所述体区和所述漂移区，所述体区和所述漂移区均为凸台状立方体结构，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；所述源区第一导电类型掺杂区形成于靠近所述体区的第二凸台上；所述漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近所述漂移区的第二凸台上；所述源区第二导电类型掺杂区形成于所述源区第一导电类型掺杂区上，且所述源区第二导电类型掺杂区的上表面低于所述体区的上表面；所述漏区第二导电类型掺杂区形成于所述漏区第一导电类型掺杂区上，且所述漏区第二导电类型掺杂区的上表面低于所述漂移区的上表面；所述源极形成于所述源区第二导电类型掺杂区上；所述漏极形成于所述漏区第二导电类型掺杂区上；所述氧化场板形成于所述漂移区上，其中，所述漏区第一导电类型掺杂区和所述漏区第二导电类型掺杂区在所述漏极下形成反向PN结，在所述漏极的电压大于设定电压的情况下，PN结击穿，载流子可以依次从所述漏区第一导电类型掺杂区、所述漏区第二导电类型掺杂区到所述漏极，以减少表面载流子分布。
9.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成SOI衬底，包括：提供初始SOI衬底，所述初始SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和初始上层硅；对所述初始上层硅进行刻蚀，形成具有凸字型结构上层硅的SOI衬底。
10.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述源极和所述漏极为凹字形结构。
11.根据权利要求10所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述上层硅具有第二导电类型。
12.根据权利要求11所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成体区、漂移区、源区第一导电类型掺杂区、源区第二导电类型掺杂区、漏区第一导电类型掺杂区、漏区第二导电类型掺杂区和氧化场板，包括：在所述上层硅的第一凸台上形成初始氧化层；利用离子注入工艺分别在两个第二凸台上形成所述源区第一导电类型掺杂区和所述漏区第一导电类型掺杂区；利用外延工艺在所述源区第一导电类型掺杂区上形成所述源区第二导电类型掺杂区，在所述漏区第一导电类型掺杂区上形成所述漏区第二导电类型掺杂区，且所述源区第二导电类型掺杂区和所述漏区第二导电类型掺杂区的上表面低于所述上层硅的上表面；利用外延工艺在所述源区第二导电类型掺杂区上形成初始源极，在所述漏区第二导电类型掺杂区上形成初始漏极；利用刻蚀工艺去除靠近所述初始源极的初始氧化层，形成所述氧化场板；利用离子注入工艺将未被所述氧化场板覆盖的上层硅形成所述体区，将被所述氧化场板覆盖的上层硅形成所述漂移区；利用刻蚀工艺去除部分初始源极和初始漏极，形成凹字形结构的源极和漏极。
13.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在晶体管表面形成金属层；利用刻蚀工艺去除所述氧化场板表面中间部分的金属层，形成源栅场板和漏极场板，所述源栅场板形成于所述源极、所述体区和部分氧化场板上，所述漏极场板，形成于所述漏极和部分氧化场板上，且所述源栅场板与所述漏极场板之间具有间隔。
14.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漏区第二导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述漏区第一导电类型掺杂区的掺杂浓度。
15.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
16.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
