1.一种超级结器件的制造方法，其特征在于，所述超级结器件的制造方法包括：提供具有外延层的衬底，衬底和外延层具有第一导电类型，且衬底为重掺杂；依次在外延层上形成栅氧化层、占位层和硬掩膜层；其中，占位层的厚度与待形成的多晶硅栅结构的厚度相同；在硬掩膜层上形成刻蚀窗口；利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层，在栅氧化层和占位层形成刻蚀窗口，以及在外延层形成具有第二导电类型的超级结填充区；其中，超级结填充区与两侧的外延层形成超级结结构；利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层，通过自对准工艺在超级结填充区顶部掺杂形成具有第二导电类型的体区；在占位层和栅氧化层的刻蚀窗口内形成停止层；利用停止层和占位层，通过自对准工艺在外延层表面形成多晶硅栅结构和栅氧结构，以形成超级结器件。
2.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述在硬掩膜层上形成刻蚀窗口，包括：在硬掩膜层表面形成光阻层；通过光刻在光阻层上形成刻蚀窗口；利用光阻层的刻蚀窗口对硬掩膜层进行刻蚀，在硬掩膜层上形成刻蚀窗口。
3.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层，在栅氧化层和占位层形成刻蚀窗口，以及在外延层形成具有第二导电类型的超级结填充区，包括：利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层向外延层刻蚀，依次在占位层和栅氧化层形成刻蚀窗口，并在外延层形成超级结沟槽；利用具有第二导电类型的填充材料对超级结沟槽进行填充，形成超级结填充区，超级结填充区与两侧的外延层形成超级结结构。
4.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层，通过自对准工艺在超级结填充区顶部掺杂形成具有第二导电类型的体区，包括：利用具有刻蚀窗口的硬掩膜层，对超级结填充区顶部进行自对准的第二导电类型离子注入；对超级结填充区顶部进行退火处理，形成体区。
5.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，停止层的材料与硬掩膜层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，停止层通过沉积停止层材料形成，停止层材料的沉积厚度大于占位层与栅氧化层的厚度之和。
7.根据权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述利用停止层和占位层，通过自对准工艺在外延层表面形成多晶硅栅结构和栅氧结构，以形成超级结器件，包括：利用占位层的阻挡作用去除占位层表面的硬掩膜层；去除占位层；形成覆盖在栅氧化层和停止层表面的多晶硅层；去除停止层表面的多晶硅层和栅氧化层表面的部分多晶硅层，将栅氧化层表面保留的剩余多晶硅层作为多晶硅栅结构；其中，栅氧化层表面保留的剩余多晶硅层的厚度与占位层的厚度相同；去除停止层，将具有刻蚀窗口的栅氧化层作为栅氧结构。
8.根据权利要求7所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述利用占位层的阻挡作用去除占位层表面的硬掩膜层，包括：以占位层作为阻挡层，利用化学机械研磨去除占位层表面的硬掩膜层。
9.根据权利要求7所述的超级结器件的制造方法，其特征在于，所述去除停止层表面的多晶硅层和栅氧化层表面的部分多晶硅层，将栅氧化层表面保留的剩余多晶硅层作为多晶硅栅结构，包括：将停止层作为阻挡层，对多晶硅层进行化学机械研磨，去除停止层表面的多晶硅层和栅氧化层表面的部分多晶硅层，将保留在栅氧化层表面的剩余多晶硅层作为多晶硅栅结构。
10.一种超级结器件，其特征在于，该超级结器件由权利要求1至9中任一项所述的超级结器件的制造方法制造而成。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求10所述的超级结器件。
12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求10所述的超级结器件。
