1.一种LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。
2.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区，包括：在硅衬底表面进行热氧化处理形成二氧化硅薄层；光刻和离子注入形成阱区、漂移区和体区。
3.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙，包括：在沟槽的槽壁上热氧化形成二氧化硅薄层；采用低压化学气相淀积工艺在沟槽内淀积氮化硅；采用干法刻蚀工艺去除沟槽内部分的氮化硅，余留沟槽侧壁的氮化硅，形成氮化硅侧墙。
4.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，包括：在填充沟槽表面涂覆含有二氧化硅的粘稠液体材料，在高温条件下使粘稠液体材料挥发形成固态的二氧化硅层，固态的二氧化硅层作为覆盖空气侧墙的缺口的氧化层。
5.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，包括：在填充沟槽表面粘接含有氧化层的陪片晶圆；去除陪片晶圆的硅，保留陪片晶圆的氧化层；对氧化层进行减薄处理，形成覆盖空气侧墙的缺口的氧化层。
6.根据权利要求4或5所述的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在场板隔离结构上形成栅极和场板，包括：在氧化层表面形成栅氧化层；采用低压化学气相淀积工艺在栅氧化层表面形成多晶硅；对多晶硅进行光刻和刻蚀处理形成多晶硅栅极和多晶硅场板；在体区形成源极，在漂移区形成漏极。
7.一种LDMOSFET器件，包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，其特征在于，还包括：位于漂移区上方的场板隔离结构，所述场板隔离结构包括氧化层和具有空气侧墙的填充沟槽，所述填充沟槽内填充有隔离介质；所述场板隔离结构通过以下方式形成：在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构。
8.根据权利要求7所述的LDMOSFET器件，其特征在于，在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙，包括：在沟槽的槽壁上热氧化形成二氧化硅薄层；采用低压化学气相淀积工艺在沟槽内淀积氮化硅；采用干法刻蚀工艺去除沟槽内部分的氮化硅，余留沟槽侧壁的氮化硅，形成氮化硅侧墙。
9.根据权利要求7所述的LDMOSFET器件，其特征在于，在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，包括：在填充沟槽表面粘接含有氧化层的陪片晶圆；去除陪片晶圆的硅，保留陪片晶圆的氧化层；对氧化层进行减薄处理，形成覆盖空气侧墙的缺口的氧化层。
10.根据权利要求7所述的LDMOSFET器件，其特征在于，在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，包括：在填充沟槽表面涂覆含有二氧化硅的粘稠液体材料，在高温条件下使粘稠液体材料挥发形成固态的二氧化硅层，固态的二氧化硅层作为覆盖空气侧墙的缺口的氧化层。
