一种电容器、芯片及电容器的制备方法

1.一种电容器，其特征在于，包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合；相邻两层电介质膜相接触的表面是凹凸配合的，所述凹凸配合形成光栅结构。 2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述层叠电介质包括第一电介质膜和第二电介质膜；所述第一电介质膜和第二电介质膜的折射率不同；所述第一电介质膜、第二电介质膜凹凸层叠后设置于所述第一电极和第二电极之间。 3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述层叠电介质包括第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜；所述第一电介质膜和第二电介质膜的折射率不同，所述第二电介质膜和第三电介质膜的折射率不同；所述第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜依次凹凸层叠后设置于所述第一电极和第二电极之间。 4.根据权利要求1-3中任意一项所述的电容器，其特征在于，相邻两层电介质膜的折射率的差值不小于0.1。 5.根据权利要求1-3中任意一项所述的电容器，其特征在于，电介质膜的材料选自由以下材料组成的组中：纯氧化硅、掺杂质元素的氧化硅、纯氮化硅、掺杂质元素的氮化硅、氧化铪和氧化铝。 6.根据权利要求1-3中任意一项所述的电容器，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材料均为金属，该金属为选自铜、铝、金、银和钨中的一种或多种。 7.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括提供第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合；相邻两层电介质膜相接触的表面是凹凸配合的，所述凹凸配合形成光栅结构。 8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述电介质膜采用化学气相沉积法制备；所述化学气相沉积法 的反应源包括硅源和氧源；所述硅源为硅烷含硅气体，所述氧源为氧气含硅气体。 9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，相邻两层电介质膜的折射率的差值不小于0.1。 10.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-6中任一项所述的电容器。