1.一种圆形对称结构的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：衬底（1）、栅介质层（8）和栅电极（5）；所述衬底（1）上划分有圆形第一区域，所述第一区域经离子注入形成有高压阱区（2）；所述第一区域包括位于中心的圆形第二区域和环绕在所述第二区域外围的环状第三区域；所述第二区域经离子注入形成有体区（3），所述第三区域经离子注入形成有漂移区（4），所述漂移区（4）和所述体区（3）位于所述高压阱区（2）内；所述第二区域包括圆形第四区域和环绕在所述第四区域外围的环状第五区域；所述第四区域经离子注入形成有源区（6），所述源区（6）位于所述体区（3）内；所述第三区域包括同心环状的第六区域和第七区域，所述第六区域和第七区域依次环绕在所述第五区域外围；所述第七区域经离子注入形成有漏区（7），所述漏区（7）位于所述漂移区（4）内；所述栅介质层（8）形成在所述第五区域和所述第六区域上方；所述栅介质层（8）包括同心环状的薄氧区（801）和场氧区（802），所述场氧区（802）环绕在所述薄氧区（801）外围；所述场氧区（802）表面划分有环状的第八区域；所述栅电极（5）设置在所述第八区域与所述薄氧区（801）上；所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第五区域、第六区域、第七区域、第八区域、栅介质层（8）和栅电极（5）具有共同的中心对称点；所述第一区域还包括同心环状的第九区域和第十区域，所述第九区域环绕在所述第七区域外围，所述第十区域环绕在所述第九区域外围；所述第九区域形成有第一浅沟槽隔离区（11）；所述第十区域经离子注入形成有第一保护环（10），所述第一浅沟槽隔离区（11）、所述第一保护环（10）与栅电极（5）具有共同的中心对称点；所述衬底（1）表面还划分有环状的第十一区域和第十二区域，所述第十一区域环绕在所述第十区域外围，所述第十二区域环绕在第十一区域外围；所述第十一区域形成有第二浅沟槽隔离区（12）；所述第十二区域经离子注入形成有第二保护环（9），所述第二浅沟槽隔离区（12）、所述第二保护环（9）与栅电极（5）具有共同的中心对称点；所述第二保护环（9）为第一导电类型的保护环，所述第一保护环（10）为第二导电类型的保护环。
2.根据权利要求1所述的圆形对称结构的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底（1）为第一导电类型的衬底（1），所述第二保护环（9）为第一导电类型的保护环，所述体区（3）为第一导电类型的体区（3）；所述高压阱区（2）为第二导电类型的阱区，所述漂移区（4）为第二导电类型的漂移区（4），所述源区（6）为第二导电类型的源区（6），所述漏区（7）为第二导电类型的漏区（7）；所述第一保护环（10）为第二导电类型的保护环。
3.根据权利要求2所述的圆形对称结构的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
4.一种圆形对称结构的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1：在衬底（1）表面光刻形成圆形第一区域，在所述第一区域注入第二导电类型的离子，形成高压阱区（2）；S2：图案化所述衬底（1），形成第一沟槽和第二沟槽，在第一沟槽和第二沟槽中填充沉积氧化物，形成第一浅沟槽隔离区（11）和第二浅沟槽隔离区（12）；S3：在衬底（1）表面光刻形成场氧区对应的区域，在场氧区对应的区域表面生长二氧化硅，得到场氧区（802）；S4：在衬底（1）表面光刻形成漂移区对应的第三区域，在所述第三区域注入第二导电类型的离子，形成漂移区（4）；S5：在衬底（1）表面光刻形成体区对应的第二区域，在所述第二区域注入第一导电类型的离子，形成体区（3）；S6：在衬底（1）表面生长二氧化硅，采用刻蚀工艺图案化二氧化硅作为栅介质，得到薄氧区（801）；S7：在衬底（1）及场氧区（802）和薄氧区（801）表面生长多晶硅栅，图案化所述多晶硅栅，得到环状栅电极（5）；S8：在衬底（1）表面光刻形成圆形第四区域和环状第七区域的图案，在所述第四区域注入第二导电类型的离子，形成源区（6）；在所述第七区域注入第二导电类型的离子，形成漏区（7）；所述第一区域、高压阱区（2）、第一浅沟槽隔离区（11）、第二浅沟槽隔离区（12）、场氧区（802）、薄氧区（801）、漂移区（4）、体区（3）、源区（6）、漏区（7）以及栅电极（5）具有共同的中心对称点；S9：在衬底（1）表面光刻形成环状第十区域，在所述第十区域注入第二导电类型的离子，形成第一保护环（10）；S10：在衬底（1）表面光刻形成环状第十二区域，在所述第十二区域注入第一导电类型的离子，形成第二保护环（9），所述第一保护环（10）和第二保护环（9）与栅电极（5）具有共同的中心对称点；所述第二保护环（9）为第一导电类型的保护环，所述第一保护环（10）为第二导电类型的保护环。
5.根据权利要求4所述的圆形对称结构的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一区域、第二区域、第三区域、第四区域、第七区域、第十区域以及第十一区域在注入离子后需要在氮气氛围中退火。
6.根据权利要求4所述的圆形对称结构的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述在场氧区对应的区域表面生长二氧化硅或者在薄氧区对应的区域生长二氧化硅，包括：在1050℃条件下，在O 2 和HCL的气氛下生长二氧化硅。
7.根据权利要求4所述的圆形对称结构的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
