1.一种NLDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。
2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述低剂量N型漂移区上设有低剂量、低能量P型离子注入层；所述高剂量N型漂移区上设有低掺杂N型离子注入层；将场氧设于所述低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区上；所述高剂量N型漂移区上设有重掺杂N型离子注入层，所述场氧的一端与所述重掺杂N型离子注入层的一端相接；所述场氧的底部设于所述低剂量、低能量P型离子注入层上。
3.根据权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件上方还设有栅极；所述低剂量、低能量P型离子注入层的一侧超出所述栅极同侧的外沿。
4.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
5.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述第一高压N阱区设有隔离区、重掺杂N型离子注入层、重掺杂P型离子注入层；第二高压N阱区上设有隔离区和重掺杂N型离子注入层。
6.一种NLDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：形成衬底；在所述衬底上方形成第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；在所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上形成P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；在所述第一高压N阱区上还形成P型体区，在所述第二高压N阱区上形成N型漂移区，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；将所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述低剂量N型漂移区上形成低剂量、低能量P型离子注入层；在所述高剂量N型漂移区上形成低掺杂N型离子注入层；所述高剂量N型漂移区上设有重掺杂N型离子注入层，场氧的一端与所述重掺杂N型离子注入层的一端相接；所述场氧的底部设于所述低剂量、低能量P型离子注入层上。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述NLDMOS器件上方形成栅极，所述低剂量、低能量P型离子注入层的一侧超出所述栅极同侧的外沿。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述第一高压N阱区设有隔离区、重掺杂N型离子注入层、重掺杂P型离子注入层；第二高压N阱区上设有隔离区和重掺杂N型离子注入层。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-5中任一项所述的NLDMOS器件。
