1.一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，包括：步骤1，分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线，其中第一温度是-40度以下，第二温度是125度以上；步骤2，根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型；步骤3，在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型，所述温度补偿因子是与温度相关的参数；以及步骤4，根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果，调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线，其中，所述等效温变电阻与温度之间的关系如下：rd(T)＝rd0×(1+b×(T-ZNOM))，其中，温度T为自变量，rd(T)为所述等效温变电阻的阻值，rd0为常温下的电阻值，b为一个常数系数，TNOM为常温温度，其中，所述温度补偿因子是体电荷效应的栅偏系数ags，其与温度之间的关系如下：ags(T)＝ags(ZNOM)+a×(T-TNOM)，其中，温度T为自变量，ags(T)为体电荷效应的栅偏系数ags的值，a为一个常数系数，TNOM为常温温度。
2.根据权利要求1所述的仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，所述第一温度为-50度。
3.根据权利要求1所述的仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，所述第二温度为150度。
4.根据权利要求1所述的仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，步骤2中采用提参软件BPP来提取BSIM模型。
5.根据权利要求1所述的仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，所述等效温变电阻与所述BSIM模型中的MOSFET的漏端串联。
6.根据权利要求1所述的仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，其特征在于，还包括：步骤5，将所述最终的子电路模型带入实际电路进行验证。
