CN114361244BLDMOSFET器件、制作方法及芯片-转果果

本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。

1.一种LDMOSFET器件制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在形成有掺杂层（12）的半导体衬底（1）的选定区域上方形成漏极区（4）包括：在形成有掺杂层（12）的半导体衬底（1）的上方涂布光刻胶；曝光、显影，使得仅半导体衬底（1）的选定区域上方被光刻胶覆盖；干法刻蚀，去除光刻胶未覆盖区域的掺杂层（12），保留光刻胶覆盖区域的掺杂层（12）作为漏极区（4）；去除漏极区（4）上方覆盖的光刻胶；采用离子注入工艺在所述半导体衬底（1）中形成源极区（11）、体区（6）和漂移区（5）；在半导体衬底（1）的选定区域上方形成栅极（7）；所述漏极区（4）与所述漂移区（5）相接。 2.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在形成所述源极区（11）、体区（6）以及漂移区（5）之前，采用离子注入工艺在所述半导体衬底（1）中形成高压阱区；在形成所述源极区（11）、体区（6）以及漂移区（5）之后，在所述半导体衬底（1）上制作浅沟槽隔离区（9）。

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