1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：衬底，所述衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，所述第一衬底层和所述第一氧化层凸出于所述重掺杂层的表面，所述第一衬底层和所述第二衬底层具有第一导电类型，所述重掺杂层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；所述第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于所述第一衬底层和所述第一氧化层的两侧，且所述氧化隔离层的底部与所述重掺杂层接触；所述氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，所述重掺杂多晶硅区的底部与所述重掺杂层接触，所述重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；所述重掺杂多晶硅区内形成有接电极，所述重掺杂层作为场板。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，漂移区远离所述体区的一侧形成有浅槽隔离。
3.根据权利要求2所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述浅槽隔离至少为两个；相邻两个浅槽隔离之间形成有第一保护环，所述第一保护环具有第二导电类型。
4.根据权利要求2所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述浅槽隔离外侧形成有第二保护环，所述第二保护环具有第一导电类型。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区内还形成有微型浅槽隔离，所述微型浅槽隔离被部分栅极的多晶硅覆盖。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一氧化层的厚度介于1000-1500埃。
7.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述氧化隔离层的厚度为1500埃。
8.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成衬底，所述衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，所述第一衬底层和所述第一氧化层凸出于所述重掺杂层的表面，所述第一衬底层和所述第二衬底层具有第一导电类型，所述重掺杂层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；所述第一衬底层内形成有阱区、体区和漂移区；在所述第一衬底层和所述第一氧化层的两侧形成氧化隔离层，所述氧化隔离层的底部与所述重掺杂层接触；在所述氧化隔离层外侧形成重掺杂多晶硅区，所述重掺杂多晶硅区的底部与所述重掺杂层接触，所述重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；在所述重掺杂多晶硅区内形成接电极，所述重掺杂层作为场板；在所述第一衬底层内形成源极、漏极和栅极。
9.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述衬底由SOI衬底和硅衬底制作而成。
10.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成衬底，包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底由上至下包括上层硅、氧化层和硅衬底层；对所述SOI衬底的上层硅进行重掺杂，形成重掺杂层；在所述重掺杂层表面形成氧化层；提供一硅衬底，所述硅衬底表面具有氧化层；将所述硅衬底的氧化层与所述SOI衬底的氧化层进行粘接，以形成初始衬底，所述初始衬底由上至下依次包括硅衬底、氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层；在所述硅衬底内形成所述阱区、所述漂移区和所述体区；利用刻蚀工艺对所述硅衬底和氧化层的两侧进行刻蚀。
11.根据权利要求10所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在将所述硅衬底的氧化层与所述SOI衬底的氧化层进行粘接之后，将所述硅衬底的厚度减薄至设定厚度。
12.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
13.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
