1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：衬底，所述衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，所述第一外延层由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，所述第一外延层为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，所述第二外延层由具有第一导电类型的硅材料制成，所述第二外延层形成于所述第一外延层上并填充所述第一外延层的梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于所述第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于所述第二外延层内所述漂移区两侧；源极、漏极、栅极和场板，所述源极形成于所述体区内，所述漏极形成于所述漂移区内，所述场板形成于所述漂移区表面，所述栅极形成于所述漂移区和所述体区表面并覆盖部分场板。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层的梳齿之间的间距与梳齿的高度的比介于1：2~4。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层的梳齿的宽度与高度的比介于1：2~4。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层的梳齿的宽度介于0.3~0.5um。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层和所述衬底由4H碳化硅材料制成。
7.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成衬底，所述衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；在所述衬底表面形成第一外延层，所述第一外延层由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，所述第一外延层为顶部具有条形梳齿的梳状结构；形成第二外延层，所述第二外延层由具有第一导电类型的硅材料制成，所述第二外延层形成于所述第一外延层上，并填充所述第一外延层的梳齿之间的空隙；在所述第二外延层内形成具有第二导电类型的漂移区；在所述第二外延层内所述漂移区两侧形成具有第一导电类型的体区；形成源极、漏极、栅极和场板，所述源极形成于所述体区内，所述漏极形成于所述漂移区内，所述场板形成于所述漂移区表面，所述栅极形成于所述漂移区和所述体区表面并覆盖部分场板。
8.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述第一外延层的梳齿之间的间距与梳齿的高度的比介于1：2~4。
9.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述第一外延层的梳齿的宽度与高度的比介于1：2~4。
10.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述第一外延层的梳齿的宽度介于0.3~0.5um。
11.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。
12.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述第一外延层和所述衬底由4H碳化硅材料制成。
13.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-6中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
14.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-6中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
