1.一种横向超结器件，包括：P型衬底、设置在P型衬底上方的P柱、设置在P柱上方的N柱、形成在N柱上方的栅极结构、分别设置在栅极结构两侧的源极结构和漏极结构；所述栅极结构包括多晶硅栅，所述多晶硅栅与所述漏极结构之间设置有场氧化层；其特征在于，所述场氧化层上方还设置有多晶硅场板，所述多晶硅场板上方设置有金属场板，所述多晶硅场板与所述金属场板之间填充有层间介质层；所述多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，所述金属场板包括多段金属微场板，所述多段金属微场板对应设置在所述多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与所述多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与所述漏极结构相连；所述多晶硅微场板和金属微场板构成电容耦合结构，能够降低表面电场峰值，减弱衬底辅助耗尽效应，扩展器件制造工艺窗口；所述多晶硅栅和多晶硅场板同层同材料制作。
2.根据权利要求1所述的横向超结器件，其特征在于，所述横向超结器件还包括P阱，所述P阱形成在所述P柱和N柱内；所述源极结构包括源极区、源极金属和P+接触区，所述P+接触区和源极区形成在所述P阱内，所述源极金属形成在所述P+接触区和源极区上方；所述漏极结构包括漏极区和漏极金属，所述漏极区形成在所述N柱内，所述漏极金属形成在所述漏极区上方，所述末级金属微场板通过接触孔与所述漏极金属相连；所述栅极结构还包括栅氧化层，所述栅氧化层形成在所述多晶硅栅与所述P阱和N柱之间。
3.根据权利要求2所述的横向超结器件，其特征在于，所述多段多晶硅微场板等间距设置在所述场氧化层上方；或者所述多段多晶硅微场板按间距依次递增再依次递减的方式设置在所述场氧化层上方。
4.根据权利要求2所述的横向超结器件，其特征在于，所述金属微场板等间距设置在所述多段多晶硅微场板上方；或者所述金属微场板按间距依次递增再依次递减的方式设置在所述多段多晶硅微场板上方。
5.根据权利要求3或4所述的横向超结器件，其特征在于，所述P型衬底与所述P柱之间还设置有氧化层。
6.根据权利要求5所述的横向超结器件，其特征在于，所述横向超结器件还包括P型掺杂区，所述P型掺杂区形成在所述P柱和N柱内，所述漏极区位于所述P型掺杂区内。
7.一种横向超结器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：在P型衬底上制备P柱和N柱；光刻定义出P阱区域，离子注入形成P阱；热氧化形成场氧化层；热氧化形成栅氧化层，淀积多晶硅材料，光刻并刻蚀形成多晶硅栅和多晶硅场板；光刻定义出源极区对应区域和漏极区对应区域，离子注入形成源极区与漏极区；光刻定义出P+接触区对应区域，离子注入形成P+接触区；淀积层间介质层，光刻并刻蚀形成接触孔；淀积金属，光刻并刻蚀形成源极金属、漏极金属和金属场板；所述多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，所述金属场板包括多段金属微场板，所述多段金属微场板对应设置在所述多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与所述多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与所述漏极金属相连；所述多晶硅微场板和金属微场板构成电容耦合结构，能够降低表面电场峰值，减弱衬底辅助耗尽效应，扩展器件制造工艺窗口。
8.根据权利要求7所述的横向超结器件制造方法，其特征在于，所述P型衬底为SOI衬底。
9.根据权利要求7所述的横向超结器件制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在制备P阱的同时制备P型掺杂区，包括：光刻定义出P阱区域和P型掺杂区对应区域，离子注入形成P阱和P型掺杂区。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片采用权利要求1-6中任一项所述的横向超结器件。
