1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；所述上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；所述上层硅被划分为体区和漂移区，所述体区和所述漂移区均为凸台状梯形体结构，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，体区的坡面与氧化层之间的夹角介于30°-60°，漂移区的坡面与氧化层之间的夹角介于30°-60°。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：至少一个第一注入体，形成于所述体区内，所述第一注入体为条状结构，具有第二导电类型；至少一个第二注入体，形成于所述漂移区内，所述第二注入体为条状结构，具有第一导电类型。
4.根据权利要求3所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一注入体和所述第二注入体的横截面为正方形、矩形或圆形。
5.根据权利要求3所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述第一注入体和所述第二注入体的延伸方向垂直于所述氧化层或平行于所述氧化层。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：层间介质层，形成于所述氧化层的上表面和所有未被所述多晶硅场板覆盖的二氧化硅层的上表面；金属层，形成于漂移区及体区的层间介质层的上表面、源极的上表面和漏极的上表面；所述源极上表面的金属层与所述层间介质层上表面的金属层之间具有间隔。
7.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；所述上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；将上层硅划分为体区和漂移区，所述体区和所述漂移区均为凸台状梯形体结构，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；在体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上形成二氧化硅层；在体区的两个坡面上形成栅极；在漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面形成多晶硅场板；在体区的上表面及体区的两个坡面的外沿形成源极；在漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿形成漏极。
8.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成SOI衬底，包括：提供初始SOI衬底，所述初始SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和初始上层硅；对所述初始上层硅进行刻蚀，形成具有凸台状上层硅的SOI衬底。
9.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述体区和所述漂移区之后，利用离子注入工艺在所述体区内形成第一注入体，所述第一注入体为具有第二导电类型的条状结构；利用离子注入工艺在所述漂移区内形成第二注入体，所述第二注入体为具有第一导电类型的条状结构。
10.根据权利要求7所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：形成所述源极和所述漏极之后，利用化学气相沉积工艺在所述氧化层的上表面和所有未被所述多晶硅场板覆盖的二氧化硅层的上表面形成层间介质层；利用物理气相沉积工艺在漂移区及体区的层间介质层的上表面、源极的上表面和漏极的上表面形成金属层，所述源极上表面的金属层与所述层间介质层上表面的金属层之间具有间隔。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-6中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-6中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
