1.一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，其特征在于，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区，其中，所述漏极轻掺杂区和所述源极轻掺杂区通过N-type离子轻掺杂漏、高压双扩散制作，且所述漏极轻掺杂区和所述源极轻掺杂区在所述栅极区之前形成，其中，轻掺杂漏的参数设置包括：长度为0.4~0.6um，深度为0.2um~0.3um，浓度为2e18cm 3 ~6e18cm 3 ，其中，高压双扩散的参数设置包括：长度为0.4~0.6um，深度为0.3~0.5um，浓度为1e18cm 3 ~6e18cm 3 。
2.根据权利要求1所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述栅极区为金属栅极或多晶硅栅电极，所述栅极区与所述P型体区和所述N型漂移区连接。
3.根据权利要求1所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括N型埋层和P型外延层，其中，所述N型埋层位于所述N型阱区的下方，所述P型外延层位于所述P型阱区的下方。
4.根据权利要求3所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型阱区包括第一P型阱区、第二P型阱区，所述第一P型阱区和所述第二P型阱区分别位于所述N型阱区的两侧并与所述N型阱区连接，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括第三P型阱区，位于所述N型阱区的上方。
5.根据权利要求4所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型体区和所述N型漂移区位于所述第三P型阱区的上方。
6.根据权利要求5所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述N型漂移区包括第一N型漂移区和第二N型漂移区，所述第一N型漂移区和所述第二N型漂移区分别位于所述P型体区的两侧。
7.根据权利要求6所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述漏极区位于所述N型漂移区上方，所述源极区位于所述P型体区上方。
8.一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法包括：在半导体衬底的选定区域中形成N型阱区和P型阱区；在所述半导体衬底的选定区域中形成浅槽隔离区、P型体区和N型漂移区；在所述N型漂移区上方形成漏极区，在所述P型体区上方形成源极区，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区；在所述P型体区和所述N型漂移区的上方形成栅极区，其中，所述漏极轻掺杂区和所述源极轻掺杂区通过N-type离子轻掺杂漏、高压双扩散制作，其中，轻掺杂漏的参数设置包括：长度为0.4~0.6um，深度为0.2um~0.3um，浓度为2e18cm 3 ~6e18cm 3 ，其中，高压双扩散的参数设置包括：长度为0.4~0.6um，深度为0.3~0.5um，浓度为1e18cm 3 ~6e18cm 3 。
9.根据权利要求8所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述栅极区为金属栅极或多晶硅栅电极，所述在所述P型体区和所述N型漂移区的上方形成栅极区包括：在所述N型漂移区的上方通过化学气相沉积形成栅氧化介质层；在所述P型体区和所述栅氧化介质层的上方通过物理气相沉积形成栅极区。
10.根据权利要求8所述的全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，在所述在半导体衬底的选定区域中形成N型阱区和P型阱区之前，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法还包括：在所述半导体衬底上形成N型埋层和P型外延层，所述N型埋层位于所述N型阱区的下方，所述P型外延层位于所述P型阱区的下方。
