1.一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，其特征在于，还包括：场板以及场板隔离结构，所述场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，所述空气介质腔形成于漂移区内，所述空气介质腔的上方被所述氧化层覆盖，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，第一氧化层具有与空气介质腔连通的缺口，第二氧化层形成于第一氧化层的表面以覆盖第一氧化层的缺口，所述场板形成于所述第二氧化层的表面。
2.根据权利要求1所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，所述场板隔离结构通过以下方式形成：在漂移区形成沟槽；在沟槽内填充氮化硅，在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成纵向的缺口，沿缺口进行刻蚀去除沟槽内的氮化硅，形成空气介质腔；在第一氧化层的表面形成第二氧化层，以覆盖第一氧化层的缺口形成封闭的空气介质腔。
3.根据权利要求2所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，在第一氧化层的表面形成第二氧化层，包括：在第一氧化层的表面粘接含有氧化层的陪片晶圆，对第一氧化层的缺口进行覆盖；去除陪片晶圆上的硅，保留陪片晶圆上的氧化层；对陪片晶圆的氧化层进行减薄处理形成为第二氧化层。
4.根据权利要求2所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，在第一氧化层的表面形成第二氧化层，包括：在第一氧化层的表面涂覆含有二氧化硅的粘稠液体材料，在高温条件下使粘稠液体材料挥发形成固态的二氧化硅层，固态的二氧化硅层作为第二氧化层对第一氧化层的缺口进行覆盖，形成封闭的空气介质腔。
5.一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽内填充氮化硅，在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成纵向的缺口，沿缺口进行刻蚀去除沟槽内的氮化硅，形成空气介质腔；覆盖第一氧化层的缺口，形成具有封闭的空气介质腔的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成场板和栅极。
6.根据权利要求5所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区，包括：在硅衬底表面进行热氧化处理形成二氧化硅薄层；光刻和离子注入形成阱区、漂移区和体区。
7.根据权利要求5所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在沟槽内填充氮化硅，在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层，包括：采用低压化学气相淀积工艺在沟槽内填充氮化硅；采用化学机械抛光工艺去除沟槽表面多余的氮化硅，采用低压化学气相淀积工艺在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层。
8.根据权利要求5所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在第一氧化层上形成纵向的缺口，沿缺口进行刻蚀去除沟槽内的氮化硅，包括：对第一氧化层进行干法刻蚀处理形成纵向的缺口；采用湿法刻蚀工艺沿缺口进行纵向刻蚀，去除沟槽内的氮化硅。
9.根据权利要求5所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，覆盖第一氧化层的缺口形成具有封闭的空气介质腔的场板隔离结构，包括：在第一氧化层的表面涂覆含有二氧化硅的粘稠液体材料，在高温条件下使粘稠液体材料挥发形成固态的二氧化硅层，固态的二氧化硅层作为第二氧化层对第一氧化层的缺口进行覆盖，形成封闭的空气介质腔。
10.根据权利要求5所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，覆盖第一氧化层的缺口形成具有封闭的空气介质腔的场板隔离结构，包括：在第一氧化层的表面粘接含有氧化层的陪片晶圆，对第一氧化层的缺口进行覆盖；去除陪片晶圆上的硅，保留陪片晶圆上的氧化层；对陪片晶圆的氧化层进行减薄处理形成为第二氧化层。
11.根据权利要求9或10所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，在空气介质场板隔离结构上形成栅极和场板，包括：在第二氧化层的表面形成栅氧化层；采用低压化学气相淀积工艺在栅氧化层的表面形成多晶硅；对多晶硅进行光刻和刻蚀处理形成多晶硅栅极和多晶硅场板；在体区形成源极，在漂移区形成漏极。
