1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：衬底；阱区，形成于所述衬底；体区和漂移区，形成于所述阱区；异质结延伸区，形成于所述漂移区的上表面，所述异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，所述漂移延伸层与所述碳化硅延伸层具有不同的导电类型，所述漂移延伸层与所述漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于所述漂移区的上表面，位于所述异质结延伸区的两侧；栅极，形成于所述体区之上；源极，形成于所述体区；漏极，形成于所述漂移区。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漂移延伸层的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述碳化硅延伸层的掺杂浓度小于所述漂移区的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：浅槽隔离，形成于所述漂移区与所述阱区之间，以及所述阱区与所述衬底之间。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：保护环，分别形成于所述衬底、所述阱区和所述体区。
6.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：提供衬底；在所述衬底形成阱区；在所述阱区形成体区和漂移区；在所述漂移区的上表面形成异质结延伸区，所述异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，所述漂移延伸层与所述碳化硅延伸层具有不同的导电类型，所述漂移延伸层与所述漂移区具有相同的导电类型；在所述漂移区的上表面形成氧化介质层，所述氧化介质层位于异质结延伸区的两侧；在所述体区之上形成栅极；在所述体区形成源极，并在所述漂移区形成漏极。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述漂移延伸层的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。
8.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述碳化硅延伸层的掺杂浓度小于所述漂移区的掺杂浓度。
9.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述漂移区与所述阱区之间以及在所述阱区与所述衬底之间形成浅槽隔离。
10.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底、所述阱区和所述体区形成保护环。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
