1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括：误差放大器、第一补偿电容、比较放大器、第二补偿电容、输出功率管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、负载电容以及负载电阻，其中，所述误差放大器的高阻抗输出端与所述比较放大器的输入端相连；所述第一补偿电容的一极板与所述误差放大器的高阻抗输出端相连，以及所述第一补偿电容的另一极板与所述输出功率管的输出端相连；所述比较放大器的输出端与所述输出功率管的输入端相连；所述第二补偿电容的一极板与所述误差放大器的低阻抗输出端相连，以及所述第二补偿电容的另一极板与所述比较放大器的输出端相连，其中，所述比较放大器为电流比较器，所述电流比较器包括：第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第七P型MOS管、第八P型MOS管、第九P型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管以及第八N型MOS管，其中，所述第三P型MOS管的源极、所述第四P型MOS管的源极、所述第五P型MOS管的源极、所述第六P型MOS管的源极、所述第七P型MOS管的源极、所述第八P型MOS管的源极、以及所述第九P型MOS管的源极彼此相连，以及所述第三P型MOS管的栅极与漏极、所述第四P型MOS管的栅极、以及所述第三N型MOS管的漏极彼此相连；所述第四P型MOS管的漏极、所述第五P型MOS管的漏极与栅极、所述第六P型MOS管的栅极、所述第七P型MOS管的栅极、以及所述第四N型MOS管的漏极彼此相连；所述第六P型MOS管的漏极、所述第五N型MOS管的漏极、所述第七N型MOS管的漏极与栅极、以及所述第八N型MOS管的栅极彼此相连；以及所述第七P型MOS管的漏极、所述第八P型MOS管的漏极与栅极、所述第九P型MOS管的栅极、以及所述第六N型MOS管的漏极彼此相连，其中，所述第三N型MOS管的源极、所述第四N型MOS管的源极、所述第五N型MOS管的源极、所述第六N型MOS管的源极、所述第七N型MOS管的源极、以及所述第八N型MOS管的源极彼此相连，以及所述第三N型MOS管的栅极、所述第五N型MOS管的栅极、以及所述第六N型MOS管的栅极彼此相连。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器还包括：第三补偿电容，所述第三补偿电容的一极板与所述比较放大器的输出端相连，以及所述第三补偿电容的另一极板与所述输出功率管的输出端相连。
3.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一N型MOS管以及第二N型MOS管，其中，所述第一P型MOS管的源极与所述第二P型MOS管的源极相连，以及所述第一P型MOS管的漏极、所述第一N型MOS管的漏极与栅极、以及所述第二N型MOS管的栅极彼此相连；以及所述第二P型MOS管的漏极与所述第二N型MOS管的漏极相连，其中，所述第一N型MOS管的源极与所述第二N型MOS管的源极相连。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器还包括：电流源，所述电流源串联在所述第三P型MOS管的源极与所述第一P型MOS管的源极之间。
5.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述输出功率管为第十P型MOS管。
6.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一反馈电阻与所述第二反馈电阻串联连接，所述第一反馈电阻的一端与所述输出功率管的输出端相连，以及所述第一反馈电阻的另一端与所述误差放大器的反相输入端相连。
7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述负载电容、所述负载电阻以及所述第一反馈电阻与所述第二反馈电阻的串联电路三者并联连接。
8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：根据权利要求1-7中任一项所述的低压差线性稳压器。
