1.一种电流传感器芯片，其特征在于，所述电流传感器芯片包括：基板；待测电路层，形成于所述基板上表面，待测电流电路呈之字形形成于所述待测电路层；检测电路层，通过气相沉积工艺形成于所述待测电路层上表面，所述检测电路层上形成有惠斯通全桥电路，所述惠斯通全桥电路包括四个互连的隧穿磁阻，相邻两个隧穿磁阻之间的金属线接入上电极或接入下电极，每一隧穿磁阻均与待测电流电路在芯片纵向方向重合设置，隧穿磁阻在芯片纵向方向的面积小于待测电流电路在芯片纵向方向的面积；其中，检测电路层由上至下依次包括：第一阻隔层、上电极、隧穿磁阻层、下电极和第二阻隔层，所述隧穿磁阻形成于所述隧穿磁阻层，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层为SiN x /SiO x /SiN x 叠层阻隔层。
2.根据权利要求1所述的电流传感器芯片，其特征在于，所述待测电路层由上至下依次包括：第一钝化层、电路层和第二钝化层，所述待测电流电路形成于所述电路层。
3.根据权利要求2所述的电流传感器芯片，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层为MoTi、TiW、TaN、NiCr合金钝化层。
4.根据权利要求1所述的电流传感器芯片，其特征在于，所述隧穿磁阻层由上至下依次包括：自由层、势垒层、参考层和反铁磁层。
5.根据权利要求1所述的电流传感器芯片，其特征在于，所述检测电路层还包括磁通聚磁器，所述磁通聚磁器在芯片纵向方向设置于待测电流电路两侧。
6.根据权利要求5所述的电流传感器芯片，其特征在于，所述磁通聚磁器与所述隧穿磁阻层在芯片横向方向平行设置。
7.一种电流传感器芯片制作方法，其特征在于，所述电流传感器芯片制作方法包括：提供一基板；利用沉积工艺在所述基板上表面形成待测电路层，待测电流电路呈之字形形成于所述待测电路层；利用气相沉积工艺在所述待测电路层上表面形成检测电路层，所述检测电路层上形成有惠斯通全桥电路，所述惠斯通全桥电路包括四个互连的隧穿磁阻，相邻两个隧穿磁阻之间的金属线接入上电极或接入下电极，每一隧穿磁阻均与待测电流电路在芯片纵向方向重合设置，隧穿磁阻在芯片纵向方向的面积小于待测电流电路在芯片纵向方向的面积；其中，所述利用气相沉积工艺在所述待测电路层上表面形成检测电路层，包括：利用等离子体增强化学气相沉积在所述待测电路层上表面形成第二阻隔层；利用沉积工艺在所述第二阻隔层上表面依次形成下电极、隧穿磁阻层和上电极；利用等离子体增强化学气相沉积在所述上电极上表面形成第一阻隔层，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层为SiN x /SiO x /SiN x 叠层阻隔层。
8.根据权利要求7所述的电流传感器芯片制作方法，其特征在于，所述利用沉积工艺在所述基板上表面形成待测电路层，包括：利用沉积工艺在所述基板上表面依次形成第二钝化层、电路层和第一钝化层，所述待测电流电路形成于所述电路层。
9.根据权利要求8所述的电流传感器芯片制作方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层为MoTi、TiW、TaN、NiCr合金钝化层。
10.根据权利要求7所述的电流传感器芯片制作方法，其特征在于，所述方法还包括：通过沉积在待测电路层表面形成磁通聚磁器，所述磁通聚磁器在芯片纵向方向设置于待测电流电路两侧。
11.根据权利要求10所述的电流传感器芯片制作方法，其特征在于，所述磁通聚磁器与所述隧穿磁阻层在芯片横向方向平行设置。
12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1至6中任一项所述的电流传感器芯片。
