一种硅控整流器、芯片及电路

1.一种硅控整流器，其特征在于，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连；所述第三区的中心轴与所述N阱区和P阱区的连接处对齐，用于电流经过第三区时均匀向P阱区和N阱区泄放电流；所述第一P+区、第二P+区及第三区的掺杂浓度均高于P阱区。 2.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述N阱区和所述第三区的接触面构成PN结，用于减少导通电阻。 3.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述掺杂浓度为电子空穴的浓度。 4.根据权利要求1或3所述的硅控整流器，其特征在于，所述第三区的掺杂浓度为1e10-5e21 cm -3 ，宽度为0.15-0.2um。 5.根据权利要求1或3所述的硅控整流器，其特征在于，所述P阱区的掺杂浓度为1e17-5e17 cm -3 。 6.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述硅控整流器的防护等级为8KV以上。 7.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述第一N+区、第一P+区、第二P+区、第二N+区及第三区两侧均设有场氧结构进行隔离。 8.根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征在于，所述衬底为P型衬底。 9.一种芯片，其特征在于，至少包括一个权利要求1-8中任意一项所述的硅控整流器。 10.一种电路，其特征在于，至少包括一个权利要求1-8中任意一项所述的硅控整流器，用于所述电路的ESD防护。