1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：衬底，衬底内形成有第一阱区、第二阱区、体区和漂移区，所述第一阱区和所述第二阱区间隔设置，所述体区和漂移区并排形成于所述第一阱区内，所述衬底、所述第二阱区和所述体区具有第一导电类型，所述第一阱区和所述漂移区具有第二导电类型；场板，形成于所述漂移区的顶部，具有向上突出于所述漂移区表面的台阶部和向下凹陷至所述漂移区内的突出部，所述台阶部具有同一水平高度，所述突出部为中间厚两端薄的构型；至少两个具有第一导电类型的反型体，所述反型体为月牙型构型，形成于所述场板的突出部的下方且位于所述突出部的两端位置；源极、漏极和栅极，所述源极形成于所述体区内，所述漏极形成于所述漂移区内远离所述源极的一侧，所述栅极形成于所述漂移区和所述体区的上表面，且所述栅极的多晶硅覆盖部分场板。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述场板的最大厚度介于1100~1400nm。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述反型体的最大厚度介于50~100nm。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述反型体的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述反型体的掺杂浓度介于1e18cm -3 ~3e18cm -3 。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区和所述第一阱区之间形成有第一浅槽隔离，所述第一阱区与所述衬底之间形成有第二浅槽隔离。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括两个源极；两个源极之间、以及第二阱区内形成有第一保护环，所述第一保护环具有第一导电类型；所述第一浅槽隔离与所述第二浅槽隔离之间形成有第二保护环，所述第二保护环具有第二导电类型。
8.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成衬底，并在所述衬底内形成第一阱区、第二阱区、体区和漂移区，所述第一阱区和所述第二阱区间隔设置，所述体区和漂移区并排形成于所述第一阱区内，所述衬底、所述第二阱区和所述体区具有第一导电类型，所述第一阱区和所述漂移区具有第二导电类型；形成场板和至少两个具有第一导电类型的反型体，所述场板形成于所述漂移区的顶部，具有向上突出于所述漂移区表面的台阶部和向下凹陷至所述漂移区内的突出部，所述台阶部具有同一水平高度，所述突出部为中间厚两端薄的构型，所述反型体为月牙型构型，形成于所述场板的突出部的下方且位于所述突出部的两端；形成源极、漏极和栅极，所述源极形成于所述体区内，所述漏极形成于所述漂移区内远离所述源极一侧，所述栅极形成于所述漂移区和所述体区的上表面，且所述栅极的多晶硅覆盖部分场板。
9.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成场板和至少两个具有第一导电类型的反型体，包括：在所述衬底表面形成氮化硅层，所述氮化硅层在所述漂移区表面具有热氧化窗口；通过所述热氧化窗口对所述漂移区进行热氧化，形成第一氧化介质层，所述第一氧化介质层为中间厚两端薄的构型；通过湿法刻蚀同步减薄所述第一氧化介质层的整体厚度，形成第二氧化介质层，所述第二氧化介质层的构型与所述第一氧化介质层的构型相同；通过扩散工艺在所述漂移区形成至少两个具有第一导电类型的反型体，所述反型体位于所述第二氧化介质层的两端位置；在氮化硅层表面化学气相沉积二氧化硅介质，二氧化硅介质至少填满所述热氧化窗口；通过化学机械抛光去除氮化硅层表面的二氧化硅介质；通过刻蚀去除氮化硅层和部分二氧化硅介质，形成所述场板。
10.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述场板的最大厚度介于1100~1400nm。
11.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述反型体的最大厚度介于50~100nm。
12.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述反型体的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。
13.根据权利要求8所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述反型体的掺杂浓度介于1e18cm -3 ~3e18cm -3 。
14.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
15.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-7中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。
