超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路

本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；在所述外延层的上表面定义刻蚀区域；根据所述刻蚀区域，利用刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；通过外延填充在所述沟槽内形成具有第二导电类型的填充区，所述填充区与相邻的外延层区域构成超级结，其中，所述填充区的杂质浓度按照由下至上的方向依次递减；形成栅极和体区，所述体区位于所述填充区的顶部，所述栅极位于所述外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，能够保证超级结实现电荷平衡，提高击穿电压。