1.一种NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区，其中，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；设于所述低剂量N型漂移区上的低掺杂N型离子注入层；以及设于所述高剂量N型漂移区上的N型阱区，其中，所述低剂量N型漂移区、所述低掺杂N型离子注入层与所述N型阱区在横向上形成掺杂剂量逐渐增大的变掺杂区，所述NLDMOS器件还包括：设于所述低剂量N型漂移区和所述高剂量N型漂移区上的场氧化层，其中，所述场氧化层的底部设于所述低掺杂N型离子注入层上；以及设于所述场氧化层上的栅极，其中，所述低掺杂N型离子注入层的一侧超过所述栅极同侧的外沿，并且所述低掺杂N型离子注入层的一侧与所述N型阱区的一侧在所述场氧化层的底部相接。
2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述低掺杂N型离子注入层的另一侧超过所述场氧化层同侧的外沿。
3.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述高剂量N型漂移区上的重掺杂N型离子注入层，其中，所述场氧化层的一侧与所述重掺杂N型离子注入层的一侧相接。
4.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述低剂量N型漂移区上的低剂量、低能量P型离子注入层，其中，所述低剂量、低能量P型离子注入层与所述低掺杂N型离子注入层形成PN结，以及所述低剂量、低能量P型离子注入层与所述低剂量N型漂移区形成PN结。
5.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述P型体区上的P型阱区。
6.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述P型体区的掺杂剂量大于预设掺杂剂量；或者所述P型体区的掺杂能量小于预设掺杂能量。
7.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述衬底上的P型降低电场区，其中，所述P型降低电场区连接所述P型体区与所述N型漂移区。
8.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述衬底上的第一高压N型阱区，其中，所述P型体区与所述N型漂移区设于所述第一高压N型阱区上；或者设于所述衬底上的第二高压N型阱区、N型隔离层与第三高压N型阱区，其中，所述第二高压N型阱区、所述N型隔离层与所述第三高压N型阱区形成包围所述P型体区与所述N型漂移区的隔离空间。
9.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
10.一种NLDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：形成衬底；在所述衬底上形成P型体区与N型漂移区，其中，所述N型漂移区包括低剂量N型漂移区和高剂量N型漂移区；在所述低剂量N型漂移区上形成低掺杂N型离子注入层；以及在所述高剂量N型漂移区上形成N型阱区，其中，所述低剂量N型漂移区、所述低掺杂N型离子注入层与所述N型阱区在横向上形成掺杂剂量逐渐增大的变掺杂区，所述制备方法还包括：在所述低剂量N型漂移区和所述高剂量N型漂移区上形成场氧化层，其中，所述场氧化层的底部设于所述低掺杂N型离子注入层上；以及在所述场氧化层上形成栅极，其中，所述低掺杂N型离子注入层的一侧超过所述栅极同侧的外沿，并且所述低掺杂N型离子注入层的一侧与所述N型阱区的一侧在所述场氧化层的底部相接。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-9中任一项所述的NLDMOS器件。
