1.一种MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法应用铁磁材料在高温区和低温区的读写特性，所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值，判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围，包括：比较所述写错误率基础值、所述读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值；若所述写错误率测量值小于或等于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度处于额定工作温度范围；若所述写错误率测量值大于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度低于额定工作温度范围；若所述读错误率测量值大于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度高于额定工作温度范围；所述写错误率基础值和所述读错误率基础值为MRAM存储阵列正常工作时的写错误率值和读错误率值。
2.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法还包括：改变所述写错误检测区域地址和所述读错误检测区域地址为第二存储阵列分区的地址，按照与第一存储阵列分区相同的步骤实现对第二阵列分区的温度检测。
3.根据权利要求1所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值，包括：S101：生成一个随机数组，记为第一数组；S102：将所述第一数组写入所述写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中；S103：读取所述第一存储阵列中的数据，得到第二数组；S104：比较所述第一数组与所述第二数组，在所述第一数组与所述第二数组不一致时记录一次写错误次数；S105：重复步骤S101-S104 j次；S106：根据所记录的写错误次数和重复次数j计算得到所述第一存储阵列的写错误率测量值。
4.根据权利要求3所述的MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值，包括：生成一个固定数组，记为第三数组；将所述第三数组写入所述读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中；重复读取y次所述第二存储阵列中数据，得到y个第四数组；将每个第四数组分别与所述第三数组比较，在所述第三数组与所述第四数组不一致时记录一次读错误次数；根据所记录的读错误次数和重复读取次数y计算得到所述第二存储阵列的读错误率测量值。
5.一种MRAM存储阵列温度自检测系统，其特征在于，所述系统应用铁磁材料在高温区和低温区的读写特性，所述系统包括：检测区域地址分配单元，用于为各存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；数组生成单元，用于生成各存储阵列分区对应的随机数组和固定数组；写错误率测量值获取单元，用于将存储阵列分区对应的所述随机数组中的每一个随机数组分别在对应的写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述写错误检测区域地址对应的第一存储阵列的写错误率测量值；读错误率测量值获取单元，用于将存储阵列分区对应的所述固定数组写入对应的读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述读错误检测区域地址对应的第二存储阵列的读错误率测量值；温度范围判断单元，用于根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的存储阵列分区当前的温度范围，包括：比较所述写错误率基础值、所述读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值；若所述写错误率测量值小于或等于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的存储阵列分区温度处于额定工作温度范围；若所述写错误率测量值大于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的存储阵列分区温度低于额定工作温度范围；若所述读错误率测量值大于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的存储阵列分区温度高于额定工作温度范围；所述写错误率基础值和所述读错误率基础值为MRAM存储阵列正常工作时的写错误率值和读错误率值。
6.一种MRAM存储阵列存储控制方法，其特征在于，所述方法包括：采用权利要求1-4中任一项所述的MRAM存储阵列温度自检测方法检测MRAM存储阵列的温度；根据所述MRAM存储阵列的温度控制所述MRAM存储阵列的不同存储阵列分区的操作频率，以保证所述MRAM存储阵列的宽温区工作特性。
7.根据权利要求6所述的MRAM存储阵列存储控制方法，其特征在于，所述根据所述MRAM存储阵列的温度控制所述MRAM存储阵列的不同存储阵列分区的操作频率，包括：当所述MRAM存储阵列的存储阵列分区的温度低于额定工作温度范围时，增加对所述存储阵列分区的操作频率；当所述MRAM存储阵列的存储阵列分区的温度处于额定工作温度范围时，保持对所述存储阵列分区的操作频率；当所述MRAM存储阵列的存储阵列分区的温度高于额定工作温度范围时，减少对所述存储阵列分区的操作频率。
8.一种MRAM存储阵列存储控制系统，其特征在于，所述系统包括：存储器控制器，用于采用权利要求1-4中任一项所述的MRAM存储阵列温度自检测方法检测MRAM存储阵列的温度；根据所述MRAM存储阵列的温度控制所述MRAM存储阵列的不同存储阵列分区的操作频率，以保证所述MRAM存储阵列的宽温区工作特性。
9.一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令用于使得机器执行本申请权利要求1-4中任一项所述的MRAM存储阵列温度自检测方法。
