郁文
北京智芯微电子科技有限公司
0专利总数
0许可专利
0转让专利
0第一发明人
0合作企业
郁文来自北京智芯微电子科技有限公司，专利83件。擅长半导体制造、半导体器件细节、计算机辅助设计。最擅长半导体制造。排名在TOP1。制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池是存续时间最长的专利。与北京芯可鉴科技有限公司合作55次，与刘芳合作81次。
历年科研重点
H01L35 热电器件 H01L29 半导体制造 分析优化类型 半导体器件细节 光掩模 H01L27 数据存储检索 放电处理 固态薄膜厚膜器件 计算机辅助设计 半导体势垒
技术领域排名
专利列表
- 有效
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
申请日: 20210916 公开日: 20260306 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
存储器器件性能调控方法、装置和电子设备
申请日: 20241126 公开日: 20260130 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
半导体器件及制造方法、芯片、电子设备
申请日: 20241129 公开日: 20260113 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片
申请日: 20241226 公开日: 20251028 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
场板结构优化方法、装置、设备及介质
申请日: 20241126 公开日: 20251017 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
显示 1-5 条，共 81 条
产研合作关联
与 北京芯可鉴科技有限公司 的合作详情
共 55 项合作记录制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池
20201130CN202011379151.4
高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法
20201210CN202011433850.2
纵向结构柔性热电器件及其制作方法
20201210CN202011455669.1
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
20210916CN202111088795.2
用于制备高压LDMOS器件的方法及器件
20211027CN202111257655.3
一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片
20211116CN202111354981.6
隔离电容及隔离电容的制备方法
20211129CN202111436654.5
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20211221CN202111571321.3
圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法
20211228CN202111623306.9
一种NLDMOS器件及制备方法、芯片
20220107CN202210014429.0
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220210CN202210124399.9
一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路
20220214CN202210132826.8
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159442.5
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159448.2
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159453.3
MIM电容及其制备方法
20220224CN202210171602.8
浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构
20220224CN202210171603.2
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220301CN202210192181.7
LDMOSFET器件、制备方法以及芯片
20220308CN202210218730.3
LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件
20220315CN202210250839.5
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220316CN202210257137.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220318CN202210270476.1
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220321CN202210275705.9
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法
20220321CN202210275705.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220321CN202210276656.0
LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管
20220324CN202210296082.3
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220328CN202210311019.2
高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220401CN202210338138.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220401CN202210339389.7
双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片
20220411CN202210375514.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220411CN202210375521.X
LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件
20220414CN202210388660.6
LDMOSFET的制作方法及结构
20220420CN202210414986.1
MIM电容器的制作方法及MIM电容器
20220505CN202210479541.1
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220610CN202210652972.3
横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件
20220620CN202210698562.2
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810576.9
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810588.1
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810837.7
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220713CN202210821617.4
异质结横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220721CN202210858457.0
LDMOS器件及其制备方法以及芯片
20220725CN202210875450.X
LDMOS器件、制备方法及芯片
20220725CN202210875508.0
双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片
20220725CN202210875537.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944506.2
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944541.4
一种离子注入机及离子注入机内衬的制作方法
20220915CN202211123558.X
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205447.3
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205608.9
LDMOS晶体管及其制造方法
20220930CN202211205804.6
工控机与数据监测系统
20221026CN202211316658.4
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211436896.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211461416.4
全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法
20230119CN202310055837.5
纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片
20230703CN202310798837.4
纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法
20230703CN202310798838.9
