1.一种LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板；所述在衬底上形成第一氧化层，包括：采用SOI材料作为衬底，在衬底上形成N型重掺杂区，在N型重掺杂区上形成第一氧化层。
2.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在N型重掺杂区上形成第一氧化层，包括：对N型重掺杂区进行刻蚀处理，以在N型重掺杂区内形成浅槽；对N型重掺杂区进行热氧化处理生成氧化物，以在N型重掺杂区的浅槽内及N型重掺杂区的表面形成第一氧化层。
3.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区。
4.根据权利要求3所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上淀积二氧化硅层，对二氧化硅层及硅片进行刻蚀处理，以在硅片上形成凹槽，对凹槽进行选择性外延形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。
5.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上进行离子注入形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。
6.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层，包括：在体区的上方、漂移区的上方及漂移区的侧方淀积氧化物；对氧化物进行刻蚀处理，以在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层。
7.根据权利要求1所述的LDMOSFET器件的制作方法，其特征在于，所述在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板，包括：在体区和漂移区的上方、第二氧化层的上方以及第三氧化层的侧方淀积多晶硅，对多晶硅进行重掺杂离子注入；对离子注入后的多晶硅进行刻蚀处理，保留第二氧化层上方的多晶硅和第三氧化层侧方的多晶硅，将第二氧化层上方的多晶硅作为多晶硅栅极，第三氧化层侧方的多晶硅作为多晶硅侧板。
8.一种LDMOSFET器件，包括衬底、体区、漂移区及多晶硅栅极，其特征在于，还包括：第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层；所述第一氧化层形成于衬底上，作为器件底部的场板隔离介质层；所述第二氧化层形成于漂移区的上方，作为器件表面的场板隔离介质层；所述第三氧化层形成于漂移区的侧方，作为器件侧面的场板隔离介质层。
9.根据权利要求8所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述衬底包括顶层硅、背衬底以及顶层硅与背衬底之间的埋氧化层。
10.根据权利要求9所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述第一氧化层通过以下方式形成：对衬底的顶层硅进行离子掺杂形成N型重掺杂区；对N型重掺杂区进行刻蚀处理，以在N型重掺杂区内形成浅槽；对N型重掺杂区进行热氧化处理生成氧化物，以在N型重掺杂区的浅槽内及N型重掺杂区的表面形成第一氧化层。
11.根据权利要求8所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述体区和漂移区通过以下方式形成：在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区。
12.根据权利要求11所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区。
13.根据权利要求12所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述在刻蚀后的硅片上进行选择性外延形成体区和漂移区，包括：在刻蚀后的硅片上淀积二氧化硅层，对二氧化硅层及硅片进行刻蚀处理，以在硅片上形成凹槽，对凹槽进行选择性外延形成体区，硅片中除体区以外的区域形成为漂移区。
14.根据权利要求8所述的LDMOSFET器件，其特征在于，所述第二氧化层和第三氧化层通过以下方式形成：在体区的上方、漂移区的上方及漂移区的侧方淀积氧化物，对氧化物进行刻蚀处理，以在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层。
