1.一种纵向栅LDMOSFET器件，包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，其特征在于，还包括：纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层，以及纵向设置于体区的纵向栅结构；所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构；所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层，所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。
2.根据权利要求1所述的纵向栅LDMOSFET器件，其特征在于，所述源区包括第一源区和第二源区，所述第一源区设置于所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区表面，所述第二源区设置于远离所述漂移区且与所述半导体衬底相连的体区表面。
3.根据权利要求2所述的纵向栅LDMOSFET器件，其特征在于，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区表面还设置有接触端，所述接触端接入的电压小于所述第一源区接入的电压。
4.根据权利要求2所述的纵向栅LDMOSFET器件，其特征在于，所述远离所述漂移区且与所述半导体衬底相连的体区表面还设置有隔离端，所述隔离端与所述第二源区相连并接地。
5.根据权利要求1所述的纵向栅LDMOSFET器件，其特征在于，所述体区与所述漂移区之间的氧化层的厚度大于所述位于纵向栅底部的栅氧化层的厚度。
6.一种纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区，在形成阱区的半导体衬底表面生长外延层；在外延层形成纵向的第一深沟槽，使得第一深沟槽的底部与阱区相接；在第一深沟槽的侧壁形成氧化层，在具有氧化层的第一深沟槽内形成漂移区；在外延层形成纵向的第二深沟槽，使得第二深沟槽的底部与阱区相接；在第二深沟槽的侧壁和底部形成栅氧化层，在具有栅氧化层的第二深沟槽内形成纵向栅结构，纵向栅结构两侧的外延层作为体区；在体区表面形成源区，在漂移区表面形成漏区。
7.根据权利要求6所述的纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成阱区，在形成阱区的半导体衬底表面生长外延层，包括：采用P型硅衬底作为半导体衬底，在P型硅衬底表面进行热氧化处理形成二氧化硅薄层；对P型硅衬底进行光刻，并注入N型离子，形成N型阱区；去除P型硅衬底表面的二氧化硅薄层，在形成N型阱区的P型硅衬底表面外延生长P型硅，形成P型外延层。
8.根据权利要求6所述的纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在第一深沟槽的侧壁形成氧化层，在具有氧化层的第一深沟槽内形成漂移区，包括：采用化学气相沉积法在第一深沟槽内填充二氧化硅，对填充的二氧化硅进行刻蚀，保留第一深沟槽侧壁的二氧化硅形成氧化层；在具有氧化层的第一深沟槽内外延生长N型硅，形成N型漂移区。
9.根据权利要求6所述的纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在第二深沟槽的侧壁和底部形成栅氧化层，在具有栅氧化层的第二深沟槽内形成纵向栅结构，纵向栅结构两侧的外延层作为体区，包括：采用化学气相沉积法在第二深沟槽内填充二氧化硅，对填充的二氧化硅进行刻蚀，保留第二深沟槽侧壁和底部的二氧化硅形成栅氧化层；在具有栅氧化层的第二深沟槽内热氧化生长N型重掺杂的多晶硅，形成纵向栅结构，纵向栅结构靠近漂移区一侧的外延层作为第一体区，纵向栅结构另一侧的外延层作为第二体区。
10.根据权利要求9所述的纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在体区表面形成源区，在漂移区表面形成漏区，包括：在第一体区表面光刻形成第一源区的图形区域，在第二体区表面光刻形成第二源区的图形区域，在漂移区表面光刻形成漏区的图形区域；分别在第一源区的图形区域、第二源区的图形区域以及漏区的图形区域重掺杂注入N型离子，形成第一源区、第二源区以及漏区。
11.根据权利要求10所述的纵向栅LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在第一体区表面光刻形成接触端的图形区域，在第二体区表面光刻形成隔离端的图形区域，分别在接触端的图形区域和隔离端的图形区域注入P型离子，形成接触端和隔离端。
12.一种功率芯片，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的纵向栅LDMOSFET器件。
