1.一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，其特征在于，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，所述纵向栅氧结构的底部与阱区相接；所述纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，所述包覆于纵向栅的氧化层、所述漂移区以及所述体区构成场板结构；所述包覆于纵向栅的氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层；所述第一氧化层与所述体区相接，作为所述纵向栅与所述体区之间的栅氧化层；所述第二氧化层与所述阱区相接，作为所述纵向栅与所述阱区之间的场板隔离介质层；所述第三氧化层与所述漂移区相接，作为所述纵向栅与所述漂移区之间的场板隔离介质层；所述第三氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；所述源区设置于所述体区表面，所述漏区设置于所述漂移区表面。
2.一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在体区与漂移区相接的位置形成纵向的深沟槽，使得深沟槽的底部与阱区相接；在深沟槽内填充氧化物，对填充的氧化物进行刻蚀，形成深沟槽侧壁和底部的氧化层；在具有氧化层的深沟槽内填充多晶硅，形成纵向栅氧结构；在体区表面形成源区，在漂移区表面形成漏区；其中，在深沟槽内填充氧化物，对填充的氧化物进行刻蚀，形成深沟槽侧壁和底部的氧化层，包括：采用化学气相沉积法在深沟槽内填充二氧化硅，采用化学机械抛光工艺对填充的二氧化硅进行平整化处理；对平整化处理后的二氧化硅进行刻蚀，保留深沟槽侧壁和底部的二氧化硅，以形成与体区相接的第一氧化层、与阱区相接的第二氧化层以及与漂移区相接的第三氧化层，第三氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度，第二氧化层的厚度大于第一氧化层的厚度。
3.根据权利要求2所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区，包括：采用P型硅衬底作为半导体衬底，在P型硅衬底表面进行热氧化处理形成二氧化硅薄层；对P型硅衬底进行光刻和离子注入，分别形成阱区、漂移区和体区。
4.根据权利要求2所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在体区与漂移区相接的位置形成纵向的深沟槽，包括：采用干法刻蚀法在体区与漂移区相接的位置形成纵向的深沟槽。
5.根据权利要求2所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在具有氧化层的深沟槽内填充多晶硅，形成纵向栅氧结构，包括：采用低压化学气相淀积工艺，在具有氧化层的深沟槽内填充N型重掺杂的多晶硅；采用化学机械抛光工艺对填充的多晶硅进行平整化处理，形成纵向栅氧结构。
6.根据权利要求2所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述在体区表面形成源区，在漂移区表面形成漏区，包括：在体区表面光刻形成源区的图形区域，在漂移区表面光刻形成漏区的图形区域，分别在源区的图形区域和漏区的图形区域重掺杂注入N型离子，形成源区和漏区。
7.一种功率芯片，其特征在于，包括权利要求1所述的纵向栅氧结构的LDMOSFET器件。
