王凯
北京智芯微电子科技有限公司
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0合作企业
王凯来自北京智芯微电子科技有限公司，专利80件。擅长半导体制造、半导体器件细节、计算机辅助设计。最擅长半导体制造。排名在TOP1。MIM电容及其制备方法是存续时间最长的专利。与北京芯可鉴科技有限公司合作54次，与刘芳合作79次。
历年科研重点
半导体制造 H01L29 电性能及故障测 H01L49 半导体器件细节 H01L27 错误处理 计算机辅助设计 半导体势垒
技术领域排名
专利列表
- 有效
用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
申请日: 20210916 公开日: 20260306 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
半导体器件及制造方法、芯片、电子设备
申请日: 20241129 公开日: 20260113 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 有效
全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法
申请日: 20230119 公开日: 20250912 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 在审
半导体器件的仿真方法、装置、设备及存储介质
申请日: 20241012 公开日: 20250307 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
- 在审
非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片
申请日: 20241009 公开日: 20250228 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司
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产研合作关联
与 北京芯可鉴科技有限公司 的合作详情
共 54 项合作记录用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统
20210916CN202111088795.2
用于制备高压LDMOS器件的方法及器件
20211027CN202111257655.3
一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片
20211116CN202111354981.6
一种电容器、芯片及电容器的制备方法
20211206CN202111475179.2
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20211221CN202111571321.3
一种NLDMOS器件及制备方法、芯片
20220107CN202210014429.0
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220210CN202210124399.9
一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路
20220214CN202210132826.8
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159442.5
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159448.2
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
20220222CN202210159453.3
MIM电容及其制备方法
20220224CN202210171602.8
浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构
20220224CN202210171603.2
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220301CN202210192181.7
LDMOSFET器件、制备方法以及芯片
20220308CN202210218730.3
LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件
20220315CN202210250839.5
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220316CN202210257137.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220318CN202210270476.1
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220321CN202210275705.9
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及制作方法
20220321CN202210275705.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220321CN202210276656.0
LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管
20220324CN202210296082.3
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220328CN202210311019.2
高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
20220401CN202210338138.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220401CN202210339389.7
双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片
20220411CN202210375514.X
LDMOSFET器件、制作方法及芯片
20220411CN202210375521.X
LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件
20220414CN202210388660.6
LDMOSFET的制作方法及结构
20220420CN202210414986.1
MIM电容器的制作方法及MIM电容器
20220505CN202210479541.1
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220610CN202210652972.3
横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件
20220620CN202210698562.2
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810576.9
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810588.1
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片
20220711CN202210810837.7
碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
20220713CN202210821617.4
异质结横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220721CN202210858457.0
双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片
20220725CN202210875537.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944506.2
器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质
20220808CN202210944521.7
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20220808CN202210944541.4
一种离子注入机及离子注入机内衬的制作方法
20220915CN202211123558.X
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205447.3
LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片
20220930CN202211205608.9
LDMOS晶体管及其制造方法
20220930CN202211205804.6
工控机与数据监测系统
20221026CN202211316658.4
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211436896.9
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
20221116CN202211461416.4
全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法
20230119CN202310055837.5
纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片
20230703CN202310798837.4
纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法
20230703CN202310798838.9
一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法
20230720CN202310893598.0
一种基于电路版图的提高电路设计精度的方法
20230720CN202310896847.1
可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备和存储介质
20231120CN202311550020.1
MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备
20231129CN202311605343.6
