刘琦
中国科学院微电子研究所
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0合作企业
刘琦来自中国科学院微电子研究所，专利148件。擅长半导体制造、电磁存储器、新兴存储器。最擅长半导体制造，驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法是存续时间最长的专利。与北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙）合作54次，与刘明合作144次。
历年科研重点
H01L45 新兴存储器 无势垒固态 存储器校验测试 H01L27 数字存储器读写 电磁存储器 生物模型计算 半导体制造 语音识别 数据转换 存储部件 集成固态
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种半导体器件及其制备方法
申请日: 20211119 公开日: 20260306 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种存内计算电路及方法和阻变型存储器
申请日: 20210802 公开日: 20260203 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种传入神经元电路及机械感受系统
申请日: 20191118 公开日: 20250110 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备
申请日: 20200511 公开日: 20241015 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 在审
一种神经元电路以及制备方法
申请日: 20230207 公开日: 20240809 申请人: 中国科学院微电子研究所
显示 1-5 条，共 144 条
科研动态
中国科学院植物研究所揭示套筒花频繁起源的分子遗传机制
来源: The Plant Cell合作: 杨霞、王苗苗、王印政、刘静
中国科学院植物研究所发现植物中一种新的细胞类型——收缩细胞
来源: National Science Review合作: 王印政、林彦翔
中国科学院提出基于忆阻器构建具备习惯化特性的人工感受神经系统方案
来源: 先进材料合作: 吴祖恒、卢吉凯
研制出高性能硫基OTS选通管，揭示缺陷态非线性开关机理
来源: Nature Communications合作: 宋志棠、朱敏、贾淑静、李黄龙
中国科学院微电子所基于忆阻器构建高效人工脉冲传入神经电路
来源: Nature Communications合作: 刘明、张续猛、杨建华
显示 1-5 条，共 10 条
产研合作关联
与 北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙） 的合作详情
共 54 项合作记录电阻转变型存储器及其驱动装置和方法
20260429CN200810240273.8
驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法
20260429CN200910077526.9
一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路
20260429CN200910077527.3
一种对电阻存储器进行编程的电路
20260429CN201010573813.1
一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法
20260429CN201010574384.X
一种阻变存储器单元的编程和擦除方法及装置
20260429CN201110021108.5
一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置
20260429CN201110021108.5
提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法
20260429CN201110023200.5
阻变型随机存储单元及存储器
20260429CN201110029781.3
集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
20260429CN201110066086.4
集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法
20260429CN201110066088.3
阻变存储器及其制造方法
20260429CN201110075379.9
一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法
20260429CN201110090834.2
一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法
20260429CN201110090926.0
阻变存储器单元
20260429CN201110101033.1
非挥发性半导体存储器及其存储操作方法
20260429CN201110104744.4
一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
20260429CN201110131693.4
阻变存储器的制造方法
20260429CN201210058676.7
具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
20260429CN201210284760.0
一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法
20260429CN201210311109.8
一种电阻型存储器的制备方法
20260429CN201210311116.8
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
20260429CN201310491719.5
一种制备纳米器件的方法
20260429CN201310491769.3
基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法
20260429CN201410102569.9
一种测量阻变存储器激活能的方法
20260429CN201410144275.2
对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
20260429CN201410377423.5
一种小间隙平面电极的制作方法
20260429CN201410557759.X
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法
20260429CN201410643264.9
三端原子开关器件及其制备方法
20260429CN201410828155.4
非挥发性阻变存储器件及其制备方法
20260429CN201510061920.9
用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法
20260429CN201610158468.2
一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器
20260429CN201610258335.2
一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器
20260429CN201610258342.2
一种自选通阻变存储器件及其制备方法
20260429CN201610282626.5
导电桥半导体器件及其制备方法
20260429CN201710115553.5
一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法
20260429CN201710167921.0
阻变存储器及其制备方法
20260429CN201710387583.1
一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器
20260429CN201710552498.6
基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法
20260429CN201810062154.1
一种阻变存储器的设计方法及装置
20260429CN201810508704.8
非易失性存储方法及装置
20260429CN201810727728.2
一种神经元电路以及神经网络电路
20260429CN201810891822.1
一种阻变存储器
20260429CN201811239365.4
阻变存储器
20260429CN201910166374.3
阻变存储器的制备方法
20260429CN201910166430.3
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
20260429CN201910806653.1
人工感受神经电路及其制备方法
20260429CN201910917005.3
基于1T1R结构的忆阻器及其制备方法、集成结构
20260429CN201911147614.1
实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列
20260429CN201911279800.0
一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备
20260429CN202010316955.3
一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备
20260429CN202010395322.6
一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备
20260429CN202010432492.7
一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备
20260429CN202010493302.2
一种灵敏放大器
20260429CN202110499651.X
一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法
20260429CN202110826828.2
