1.一种实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列，其特征在于，包括：存储单元阵列，每列的各个所述存储单元间通过各个所述存储单元的源线和第一位线连通，每行的各个所述存储单元间通过各个所述存储单元的第一字线和第二位线连通；其中，每个所述存储单元包括：第一晶体管，其源极连接至所述源线，其栅极连接至所述第一字线；阻变单元，其一端与所述第一晶体管的漏极实现串联连接，连接点作为分压点，另一端连接至所述第一位线；以及第二晶体管，其栅极连接至所述分压点，漏极连接至所述第二位线，其源极接地；所述第一晶体管与所述阻变单元实现电阻分压；以及读取电路模块，连接每列的所述第一位线和每行的所述第二位线，实现数据读出。
2.根据权利要求1所述的非挥发存储阵列，其特征在于，还包括：每行的各个所述存储单元中具有第二字线互相连通，并连接至电压；或每列的各个所述存储单元中具有第二字线互相连通，并连接至电压。
3.根据权利要求1所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述第一晶体管的源极连接至所述源线，所述第一晶体管的栅极连接至第一字线，所述阻变单元的另一端连接至所述第一位线。
4.根据权利要求3所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述第二晶体管的漏极连接至所述第二位线。
5.根据权利要求4所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述第二晶体管的源极接地。
6.根据权利要求5所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述源极 接地，所述第一字线连接至电压，所述第一位线和所述第二位线分别连接至读电压。
7.根据权利要求6所述的非挥发存储阵列，其特征在于，所述存储单元还包括：第N晶体管，所述第N晶体管与所述第N-1晶体管串联连接，其中，N为大于2的整数。
8.根据权利要求7所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述第N晶体管的源极连接至所述第N-1晶体管的漏极，且所述第N晶体管的漏极连接至所述第二位线。
9.根据权利要求8所述的非挥发存储阵列，其特征在于，各个所述存储单元中，所述第N晶体管的栅极连接至所述第二字线。
