阻变存储器及其制备方法

一种阻变存储器以及其制备方法，其中阻变存储器包括：下电极；含下电极金属的氧化物层，位于下电极之上；电阻转变层，位于含下电极金属的氧化物层之上，其中，所述电阻转变层材料为含氮的钽氧化物；插层，位于电阻转变层之上，其中所述插层材料为金属或半导体；上电极，位于插层之上。本发明阻变存储器通过设置含氮的钽氧化物电阻转变层，其与TaO相比，具有较低的激活电压，高开关比的特点，还可以增加氧空位数量对器件电阻的调控能力。