一种阻变存储器

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：第一电极层；阻变层，位于所述第一电极层的下方；第一中间层，位于所述阻变层的下方，所述第一中间层的迁移率小于1cm 2 /Vs；所述第一中间层的材料包括：氮化硼BN、有机半导体及Si 3 N 4 中的任意一种，所述第一中间层的厚度为5～10nm；第二中间层，位于所述第一中间层的下方，所述第二中间层的材料包括二维材料；第二电极层，位于所述第二中间层的下方。 2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一中间层的厚度为2～10nm。 3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述二维材料具体包括：石墨烯或二硫化钼MoS 2 。 4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极层的材料具体包括：金Au或铂Pt。 5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的材料包括：氧化铪HfO 2 、氧化钨WO 3 及氧化钽Ta 2 O 5 中的任意一种。 6.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第二电极层的材料包括铜Cu或银Ag。 7.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极层的厚度为50～100nm。 8.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度包括4～20nm。 9.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述二维材料为单层材料。