1.一种存储单元，其特征在于，包括：两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器；其中，第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连，所述第一阻变存储器的另一端与位线相连，所述第一选通晶体管的源极与源线相连，所述第一选通晶体管的栅极与字线相连；第一放大晶体管的源极接地，所述第一放大晶体管的漏极与读位线相连，所述第一放大晶体管的栅极与所述第一选通晶体管的漏极相连；第二阻变存储器的一端与第二选通晶体管的漏极相连，所述第二阻变存储器的另一端与互补位线相连，所述第二选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第二选通晶体管的栅极与所述字线相连；第二放大晶体管的源极接地，所述第二放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第二放大晶体管的栅极与所述第二选通晶体管的漏极相连；其中，在所述第一阻变存储器为高阻态，所述第二阻变存储器为低阻态的情况下，所述存储单元中预先存储的数据为“1”；在存储的数据为“1”的情况下，通过将所述位线的电压调整至高电平，所述互补位线的电压调整至低电平，使得所述存储单元输入数据“1”进行搜索，搜索匹配的情况下，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管均关断；在存储的数据为“1”的情况下，通过将所述位线的电压调整至低电平，所述互补位线的电压调整至高电平，使得所述存储单元输入数据“0”进行搜索，搜索不匹配的情况下，所述第一放大晶体管关断，所述第二放大晶体管导通。
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述选通晶体管与所述放大晶体管为NMOS管。
3.一种包括权利要求1或2中任意一种所述存储单元的三值内容寻址存储器，其特征在于，包括：存储阵列、感知放大器、源线、字线、读位线、匹配线、位线以及互补位线；所述匹配线与所述读位线相连；所述感知放大器与所述匹配线相连；所述存储阵列包括多个存储单元，所述存储单元包括两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器；其中，第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连，所述第一阻变存储器的另一端与所述位线相连，所述第一选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第一选通晶体管的栅极与所述字线相连；第一放大晶体管的源极接地，所述第一放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第一放大晶体管的栅极与所述第一选通晶体管的漏极相连；第二阻变存储器的一端与第二选通晶体管的漏极相连，所述第二阻变存储器的另一端与所述互补位线相连，所述第二选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第二选通晶体管的栅极与所述字线相连；第二放大晶体管的源极接地，所述第二放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第二放大晶体管的栅极与所述第二选通晶体管的漏极相连。
4.根据权利要求3所述的三值内容寻址存储器，其特征在于，还包括：预充电晶体管，所述预充电晶体管用于将所述匹配线预充至高电平。
5.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求3或4中任意一项所述的三值内容寻址存储器。
6.一种存储单元，其特征在于，包括：两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器；其中，第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连，所述第一阻变存储器的另一端与位线相连，所述第一选通晶体管的源极与源线相连，所述第一选通晶体管的栅极与字线相连；第一放大晶体管的源极接地，所述第一放大晶体管的漏极与读位线相连，所述第一放大晶体管的栅极与所述第一选通晶体管的漏极相连；第二阻变存储器的一端与第二选通晶体管的漏极相连，所述第二阻变存储器的另一端与所述位线相连，所述第二选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第二选通晶体管的栅极与互补字线相连；第二放大晶体管的源极接地，所述第二放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第二放大晶体管的栅极与所述第二选通晶体管的漏极相连；其中，在所述第一阻变存储器为高阻态，所述第二阻变存储器为低阻态的情况下，所述存储单元中预先存储的数据为“0”；在存储的数据为“0”的情况下，通过将所述字线的电压调整至高电平，所述互补字线的电压调整至低电平，使得所述存储单元输入数据“1”进行搜索，搜索不匹配的情况下，所述第一放大晶体管导通，所述第二放大晶体管关断；在存储的数据为“0”的情况下，通过将所述字线的电压调整至低电平，所述互补字线的电压调整至高电平，使得所述存储单元输入数据“0”进行搜索，搜索匹配的情况下，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管均关断。
7.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，所述选通晶体管与所述放大晶体管为NMOS管。
8.一种包括权利要求6或7中任意一种所述存储单元的三值内容寻址存储器，其特征在于，包括：存储阵列、感知放大器、源线、位线、读位线、匹配线、字线以及互补字线；所述匹配线与所述读位线相连；所述感知放大器与所述匹配线相连；所述存储阵列包括多个存储单元，所述存储单元包括两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器；其中，第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连，所述第一阻变存储器的另一端与所述位线相连，所述第一选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第一选通晶体管的栅极与所述字线相连；第一放大晶体管的源极接地，所述第一放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第一放大晶体管的栅极与所述第一选通晶体管的漏极相连；第二阻变存储器的一端与第二选通晶体管的漏极相连，所述第二阻变存储器的另一端与所述位线相连，所述第二选通晶体管的源极与所述源线相连，所述第二选通晶体管的栅极与所述互补字线相连；第二放大晶体管的源极接地，所述第二放大晶体管的漏极与所述读位线相连，所述第二放大晶体管的栅极与所述第二选通晶体管的漏极相连。
9.根据权利要求8所述的三值内容寻址存储器，其特征在于，还包括：预充电晶体管，所述预充电晶体管用于将所述匹配线预充至高电平。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求8或9中任意一项所述的三值内容寻址存储器。
