1.一种人工感受神经电路，其特征在于，包括传感器、第一忆阻器以及神经元电路，其中，所述第一忆阻器具有单向阻变特性；所述传感器用于感知同一重复外界信号，并根据所述同一重复外界信号产生一系列重复的激励信号；所述第一忆阻器用于根据所述一系列重复的激励信号产生响应信号；所述神经元电路用于根据所述响应信号进行充放电以输出脉冲信号。
2.根据权利要求1所述的人工感受神经电路，其特征在于，所述神经元电路包括储能电容、第二忆阻器以及输出电阻，其中，所述第二忆阻器具有阈值转变特性；所述传感器的一端连接所述第一忆阻器的一端，所述第一忆阻器的另一端连接所述储能电容的一端和所述第二忆阻器的一端，所述第二忆阻器的另一端连接所述输出电阻的一端并适于输出所述脉冲信号，所述传感器的另一端、所述储能电容的另一端以及所述输出电阻的另一端接地。
3.一种人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，包括：制备神经元电路，所述神经元电路用于根据响应信号进行充放电以输出脉冲信号；制备与所述神经元电路串联的第一忆阻器，所述第一忆阻器具有单向阻变特性，用于根据一系列重复的激励信号产生所述响应信号；制备与所述神经元电路和所述第一忆阻器并联的传感器，所述传感器用于感知同一重复外界信号，并根据所述同一重复外界信号产生所述一系列重复的激励信号。
4.根据权利要求3所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备神经元电路包括：制备输出电阻；制备与所述输出电阻串联的第二忆阻器，所述第二忆阻器具有阈值转变特性；制备与所述输出电阻和所述第二忆阻器并联的储能电容。
5.根据权利要求4所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备输出电阻包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面沉积第一隔离层；在所述第一隔离层的表面沉积第一电极层；在所述第一电极层的表面的第一区域沉积电阻薄膜。
6.根据权利要求5所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备与所述输出电阻串联的第二忆阻器包括：在所述电阻薄膜的表面沉积第二电极层；在所述第二电极层的表面沉积第一功能层，基于所述第一功能层的材料制备的阻变器件具有阈值转变特性；在所述第一功能层的表面沉积第三电极层。
7.根据权利要求6所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备与所述输出电阻和所述第二忆阻器并联的储能电容包括：在所述第一电极层的表面的第二区域沉积电容薄膜，所述第二区域和所述第一区域无重叠；在所述第一电极层的表面的第三区域形成第二隔离层，所述第二隔离层用于隔离所述储能电容和所述第二忆阻器，所述第三区域为所述第一电极层的表面除所述第一区域和所述第二区域外的区域；在所述电容薄膜的表面沉积第四电极层。
8.根据权利要求7所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述第三电极层的表面、所述第二隔离层的表面以及所述第四电极层的表面位于同一平面内。
9.根据权利要求7所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备与所述神经元电路串联的第一忆阻器包括：在所述第三电极层的表面、所述第二隔离层的表面以及所述第四电极层的表面沉积第五电极层；在所述第五电极层的表面沉积第二功能层，基于所述第二功能层的材料制备的阻变器件具有单向阻变特性；在所述第二功能层的表面沉积第六电极层。
10.根据权利要求9所述的人工感受神经电路的制备方法，其特征在于，所述制备与所述神经元电路和所述第一忆阻器并联的传感器包括：在所述第六电极层的表面沉积传感材料层；在所述传感材料层的表面沉积第七电极层。
