1.一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上由下至上依次形成绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，其中，所述牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀所述牺牲层的边缘，使得在所述牺牲层的边缘以及在所述第一电极与所述第二电极之间形成横向沟槽；在所述横向沟槽内形成金属氧化物半导体层，使得所述横向沟槽形成金属氧化物的沟道；在所述沟道所在的区域上形成栅电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟道所在的区域上形成栅电极，具体包括：在所述结构层上方的预设区域对应的第一投影区域上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极，以使所述栅电极位于所述沟道所在的区域上。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设区域对应的第一投影区域完全覆盖所述第二电极的第二投影区域与所述第一电极的第三投影区域的重叠区域。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，其中，所述牺牲层的厚度满足预设厚度，具体包括：在所述衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成沟槽，并在所述沟槽内填充所述第一电极；在所述第一电极和所述绝缘层形成的平面上形成所述牺牲层，所述牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；在所述牺牲层上形成第二电极；在所述第二电极上形成结构层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层之后，还包括：对所述牺牲层、第二电极、结构层进行图形化，形成图形化结构。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述横向沟槽内形成金属氧化物半导体层，使得所述横向沟槽形成金属氧化物的沟道，具体包括：在所述结构层上方、所述第二电极的边缘、所述横向沟槽内、所述第一电极上方以及所述绝缘层上方形成金属氧化物半导体层，使得所述横向沟槽形成金属氧化物的沟道；去除除所述横向沟槽之外的其他区域的所述金属氧化物半导体层，保留所述横向沟槽内的所述金属氧化物半导体层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层具体采用如下任意一种：SiO x 层和SiN x 层。
8.一种金属氧化物场效应晶体管，采用如权利要求1-7任一项所述的制作方法，其特征在于，包括：由下至上的衬底、绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层、栅介质层以及栅电极，其中，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；在所述牺牲层的边缘以及在所述第一电极与所述第二电极之间形成金属氧化物的沟道；所述栅电极位于所述沟道所在的区域上。
9.如权利要求8所述的金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，还包括：栅介质层；所述栅介质层位于所述结构层上方的预设区域对应的第一投影区域。
10.如权利要求9所述的金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述预设区域对应的第一投影区域完全覆盖所述第二电极的第二投影区域与所述第一电极的第三投影区域的重叠区域。
