一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法

1.一种实现多值存储的阻变存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上形成下电极，并在下电极上形成功能层；S2：对功能层进行离子注入，在功能层中形成不连续的金属颗粒；S3：在功能层上形成上电极；所述下电极材料包括Ru、TaN、IrO 2 、ITO或IZO；所述功能层材料包括Al 2 O 3 或TiO x ；所述步骤S2中采用的离子注入材料包括Ag、Cu、Cr或W。 2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极材料还包括Pt、W、Al或TiN。 3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能层材料还包括SiO 2 、HfO 2 或TaO x 。 4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射、脉冲激光沉积或原子层沉积方法在下电极上形成功能层。 5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上电极材料为Pt、W、Ru、Al、TiN、TaN、IrO 2 、ITO、IZO中至少一种。 6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，通过光刻、剥离在衬底上沉积下电极。 7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，通过光刻、剥离在功能层上沉积上电极。 8.如权利要求6 或7 所述的制备方法，其特征在于，所述上电极和下电极通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或溅射方法中的一种制备完成。 9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅片。